【產(chǎn)通社，4月4日訊】東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官網(wǎng)消息，其150V N溝道功率MOSFET---TPH9R00CQ5采用最新一代U-MOX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。


產(chǎn)品特點(diǎn)


TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的9.0mΩ（最大值）的低漏源導(dǎo)通電阻，與現(xiàn)有產(chǎn)品TPH1500CNH1相比降低了約42%。同時(shí)，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TPH9R00CQH4相比，反向恢復(fù)電荷減少約74%，反向恢復(fù)[5]時(shí)間縮短約44%，上述指標(biāo)是體現(xiàn)同步整流應(yīng)用性能的兩大關(guān)鍵反向恢復(fù)指標(biāo)。

新產(chǎn)品面向同步整流應(yīng)用，降低了開關(guān)電源的功率損耗，有助于提高系統(tǒng)效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產(chǎn)品減少了開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰電壓，有助于降低電源的EMI。主要特性包括：
- 業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻：RDS（ON）＝9.0mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 業(yè)界領(lǐng)先的低反向恢復(fù)電荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 業(yè)界領(lǐng)先的快速反向恢復(fù)時(shí)間：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 高結(jié)溫額定值：Tch（最大值）＝175°C

此外，東芝還提供支持開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)的相關(guān)工具。除能夠迅速驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型外，現(xiàn)在還提供能夠準(zhǔn)確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝利用該產(chǎn)品還開發(fā)出了“用于通信設(shè)備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉(zhuǎn)換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設(shè)計(jì)。即日起可訪問東芝官網(wǎng)獲取上述參考設(shè)計(jì)。除此以外，新產(chǎn)品還可用于已發(fā)布的“1kW全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器”參考設(shè)計(jì)。


供貨與報(bào)價(jià)


該產(chǎn)品采用業(yè)界廣泛認(rèn)可的表面貼裝型SOP Advance（N）封裝，開始支持批量出貨。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news.html。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）     （完）