【產(chǎn)通社，4月8日訊】北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司（Gigadevice Semiconductor；股票代碼：603986）官網(wǎng)消息，其在2023年度中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮暨中國(guó)IC領(lǐng)袖峰會(huì)上，憑借著出色的技術(shù)突破能力和產(chǎn)品創(chuàng)新能力榮獲“十大中國(guó)IC設(shè)計(jì)公司”獎(jiǎng)項(xiàng)。與此同時(shí)，旗下GD5F1GM7存儲(chǔ)器和GD32F470微控制器分別獲得了“年度最佳存儲(chǔ)器”和“年度最佳MCU”兩大熱門(mén)IC產(chǎn)品類獎(jiǎng)項(xiàng)。

中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)是中國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級(jí)盛典之一，至今已連續(xù)舉辦了二十一年，能獲得IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)的表彰，充分體現(xiàn)了獲獎(jiǎng)企業(yè)的行業(yè)領(lǐng)先地位和卓越的產(chǎn)品研發(fā)及服務(wù)支持能力。

GD5F1GM7是兆易創(chuàng)新推出的新一代24nm工藝制程的NAND Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品，提供3V和1.8V兩種電壓版本。該系列優(yōu)化了產(chǎn)品設(shè)計(jì)，內(nèi)置8bit ECC模塊，可達(dá)到10年數(shù)據(jù)保持，8萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命。頻率最高可達(dá)133MHZ，支持DTR功能，極大提高了產(chǎn)品的傳輸速度。1.8V產(chǎn)品支持Deep power down模式，待機(jī)功耗可低至1uA，對(duì)于低功耗需求有巨大優(yōu)勢(shì)。在封裝設(shè)計(jì)上，該系列提供了更小的WSON8 6mmx5mm封裝，進(jìn)一步減小了存儲(chǔ)芯片在PCB上的芯片面積，能夠?yàn)镮oT、穿戴類等新興消費(fèi)類市場(chǎng)應(yīng)用提供高性價(jià)比，大容量的代碼儲(chǔ)存方案。

GD32F470系列高性能MCU基于Arm? Cortex?-M4內(nèi)核，主頻高達(dá)240MHz，可支持算法復(fù)雜度更高的嵌入式應(yīng)用，并具備更快速的實(shí)時(shí)處理能力。GD32F470配備了512KB到3072KB片上Flash，256KB到768KB的SRAM，具備業(yè)界領(lǐng)先的大容量存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)。在制造工藝方面，此MCU采用40nm工藝制程，可以降低動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗，從而有效延長(zhǎng)電池供電系統(tǒng)的使用時(shí)間。另外，GD32F470系列繼承了GD32F4系列豐富的通信接口和增強(qiáng)型安全功能，與現(xiàn)有GD32F4系列產(chǎn)品完全兼容，支持開(kāi)發(fā)者在現(xiàn)有設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)無(wú)縫切換，能夠輕松推動(dòng)高端應(yīng)用轉(zhuǎn)換和研發(fā)升級(jí)。

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