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東芝SSM14N956L 12V共漏極N溝道MOSFET導通電阻1.1mΩ
2023/5/26 7:33:32     

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【產(chǎn)通社,5月26日訊】東芝電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)官網(wǎng)消息,其SSM14N956L 12V共漏極N溝道MOSFET額定電流為20A的,可用于移動設備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。


產(chǎn)品特點


鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護電路來減少充放電時產(chǎn)生的熱量,以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,同時要求MOSFET小巧纖薄,且具有更低的導通電阻。

SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝,已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也采用該技術。憑借業(yè)界領先[1]的低導通電阻特性實現(xiàn)了低功耗,而業(yè)界領先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外,新產(chǎn)品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701(2.74×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。

主要特性包括:
- 業(yè)界領先的[1]低導通電阻:RSS(ON)=1.1mΩ(典型值)@VGS=3.8V;
- 業(yè)界領先的[1]低柵源漏電流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V;
- 小型化超薄TCSPED-302701封裝:2.74×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值);
- 共漏極結構,可方便地用于電池保護電路。


供貨與報價


該產(chǎn)品開始支持批量出貨。東芝將繼續(xù)開發(fā)用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路的MOSFET產(chǎn)品。查詢進一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://www.global.toshiba/ww/top.html。(張怡,產(chǎn)通發(fā)布)    (完)
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