【產(chǎn)通社，6月14日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia）官網(wǎng)消息，其推出首批支持低電壓(100/150V)和高電壓(650V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。


產(chǎn)品特點(diǎn)


新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80mΩ至190mΩ之間），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8mm兩種封裝。這些產(chǎn)品可在高電壓(<650V)、低功率的數(shù)據(jù)通訊/電信、消費(fèi)類充電、太陽(yáng)能和工業(yè)應(yīng)用中提高電源轉(zhuǎn)換效率，還可用于高精度無刷直流電機(jī)和緊湊型服務(wù)器設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)更高扭矩和更大功率。 

Nexperia現(xiàn)還提供采用WLCSP8封裝的100V (3.2mΩ) GaN FET和采用FCLGA封裝的150V GaN FET。這些器件適合各種低電壓(<150V)、高功率應(yīng)用，例如，數(shù)據(jù)中心使用的高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、快速充電（電動(dòng)出行類和USB-C類）、小尺寸LiDAR收發(fā)器、低噪聲D類音頻放大器以及功率密度更高的消費(fèi)類設(shè)備（如手機(jī)、筆記本電腦和游戲主機(jī)）。 

在許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN FET憑借緊湊型解決方案尺寸能實(shí)現(xiàn)更高的功率效率，從而顯著降低物料(BOM)成本。因此，GaN器件在主流電力電子市場(chǎng)逐漸得到了廣泛應(yīng)用，包括服務(wù)器計(jì)算、工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)類應(yīng)用和電信基礎(chǔ)設(shè)施�；贕aN的器件具備快速轉(zhuǎn)換/開關(guān)能力（高dv/dt和di/dt），可在低功率和高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供出色的效率。Nexperia的E-mode GaN FET具有出色的開關(guān)性能，這得益于極低的Qg和QOSS值，并且低RDS(on)有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率效率設(shè)計(jì)。 

這些新器件進(jìn)一步擴(kuò)充了Nexperia豐富的GaN FET產(chǎn)品系列，適合各種功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。產(chǎn)品組合包括支持高電壓、高功率應(yīng)用的級(jí)聯(lián)器件，支持高電壓、低功率應(yīng)用的650V E-mode器件和支持低電壓、高功率應(yīng)用的100/150V E-mode器件。此外，Nexperia E-mode GaN FET采用8英寸晶圓生產(chǎn)線制造以提高產(chǎn)能，符合工業(yè)級(jí)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。Nexperia的GaN器件產(chǎn)品系列不斷擴(kuò)充，充分體現(xiàn)了Nexperia堅(jiān)守承諾，促進(jìn)優(yōu)質(zhì)硅器件和寬禁帶技術(shù)發(fā)展的決心。 


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.nexperia.com/gan-fets。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）     （完）