【產(chǎn)通社，6月20日訊】普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（Puya Semiconductor；股票代碼：688766）官網(wǎng)消息，其GS N系列產(chǎn)品充分發(fā)揮公司的工藝和設(shè)計創(chuàng)新優(yōu)勢，基于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的40nm SONOS 先進(jìn)制程，在超低電源電壓、電壓范圍、讀寫功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度等參數(shù)指標(biāo)上均達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，能夠更加充分的滿足市場對于更低功耗、更寬電壓范圍、更靈活的操作模式、更可靠性能以及更低成本等復(fù)合要求。在針對基于嵌入式SoC、手持移動應(yīng)用、多媒體信息處理等場景中，能顯著降低運(yùn)行功耗，有效延長設(shè)備的續(xù)航時間。

實(shí)測數(shù)據(jù)顯示，GS N系列產(chǎn)品對比公司2020年發(fā)布的40nm 1.8V產(chǎn)品，相同電流下的功耗降低了38%；相同頻率下的四線讀取功耗降低了60%，有效延長了設(shè)備的續(xù)航時間。

普冉GS N系列可提供16Mb-64Mb容量樣品，更多容量將陸續(xù)推出。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.puyasemi.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）     （完）