【產(chǎn)通社，7月8日訊】杭州士蘭微電子股份有限公司（Silan Microelectronics；股票代碼：600460）官網(wǎng)消息，其近期推出的高性能的汽車驅(qū)動模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力，為用戶帶來更高的效率和更好的體驗。


產(chǎn)品特點


該模塊產(chǎn)品阻斷電壓可以達(dá)到1200V，可以滿足800V平臺新能源汽車快速充電的需求，在5C倍率的充電速度下，可以實現(xiàn)5min充電0-80%。同時，該模塊峰值工況下支持850V電壓，輸出電流350-400Arms，輸出動能強(qiáng)，汽車加速快，這對于追求速度與激情的消費者來說是極其重要的。

士蘭微電子基于自主研發(fā)的精細(xì)溝槽FS-V技術(shù)開發(fā)的這款六單元拓?fù)淠K，可以為車輛提供高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級特性，從而為嚴(yán)苛的環(huán)境條件下的逆變器運行提供更可靠的保障。

與傳統(tǒng)的驅(qū)動模塊相比，士蘭600A/1200V IGBT模塊的電流密度更高，可以將更多的功率輸出到驅(qū)動軸，提高車輛的加速性能和行駛距離。此外，該模塊還具有高短路能力和高阻斷電壓等級，可以保護(hù)逆變器免受突發(fā)電流和電壓的損害，從而延長逆變器的壽命。

該模塊IGBT芯片采用士蘭最新一代的場截止5代（Field-Stop V）技術(shù)和最先進(jìn)的精細(xì)溝槽技術(shù)，較之前常規(guī)IGBT工藝具有更窄的臺面寬度，用于降低飽和壓降，提高器件的功率密度，縮小芯片的尺寸；且硅厚度只有110um，可以使得器件-40度下耐壓大于1200V，大大降低了器件的飽和壓降和關(guān)斷損耗；其低 VCE(sat)特性使該模塊具備正溫度系數(shù)，具有較低的靜態(tài)損耗，以及低開關(guān)損耗，可以增大模塊的輸出能力，提高整個電控系統(tǒng)的效率；采用導(dǎo)熱性優(yōu)良的DBC，進(jìn)一步降低模塊熱阻，提高輸出能力。


供貨與報價


查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.silan.com.cn。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）     （完）