【產(chǎn)通社，6月13日訊】隨著基于LDMOS技術的三個高性能RF功率晶體管的推出，飛思卡爾半導體（Freescale Semiconductor）擴展了其在GSM EDGE無線網(wǎng)絡方面的投入。這些器件結合了增強功能，使它們輕松集成到放大器內(nèi)，同時可提供卓越的性能水平。

MRFE6S9046N（920至960MHz）

對于GSM EDGE的應用，MRFE6S9046N的運行頻率為920至960MHz，提供17.8W的平均RF功率輸出，19dB的增益，效率高達42.5%，且誤差矢量幅度的均方根（RMS）值不超過2.1%。內(nèi)置于飛思卡爾超模壓塑膠封裝中，該封裝是精確機械公差和成本效率的結合。此外，該封裝是表面安裝的，這使它能夠支持自動化的制造流程。而且，增強型的內(nèi)部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應印刷電路板的變化。內(nèi)部輸出匹配不僅在基本頻率上實現(xiàn)了用戶友好的終端阻抗，而且還包括賴以實現(xiàn)更高效率的第二和第三個諧波終端，以符合F級放大器的理論。

MRF8S9100H/HS（920至960MHz)與MRF8S18120H/HS（1805至1880MHz）

這些28V的器件專為GSM與EDGE系統(tǒng)中的AB級與C級的操作而設計。在GSM EDGE業(yè)務中，MRF8S9100H/HS在940MHz運行時提供45W的平均功率，19.1dB的增益，44%的效率以及均方根（RMS）值為2.0%的誤差矢量幅度（EVM）。

在GSM EDGE業(yè)務中，MRF8S18120H/HS在1840MHz運行時提供46W的平均功率，18.2dB的增益，42%的效率以及均方根（EVM）值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS與MRF8S18120H/HS內(nèi)置在結實的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS還能夠在GSM 800頻段中操作，而MRF8S18120H/HS支持在GSM 1900頻段中的操作。所有這三個器件都是內(nèi)部匹配的，以簡化電路設計，符合RoHS規(guī)范，并且還包含內(nèi)部ESD保護電路。

定價和供貨情況

MRFE6S9046N現(xiàn)已成批生產(chǎn)，并開始提供樣品。MRF8S9100H/HS與MRF8S18120H/HS現(xiàn)在也處于樣品性能試驗階段，預計2009年7月全面投入生產(chǎn)。參考測試設備將與預期于2009年7月生產(chǎn)的大型信號模型一起提供。

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