【產(chǎn)通社，7月22日訊】東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官網(wǎng)消息，其推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET TPH3R10AQM。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路等應用。


產(chǎn)品特點


TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝使用早期工藝的100V產(chǎn)品TPH3R70APL低16%。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%，使其適合線性模式工作，而且還降低了導通電阻，同時擴大了安全工作區(qū)的線性工作范圍，減少了并聯(lián)數(shù)量。

此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。


供貨與報價


新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝，于今日開始支持批量出貨。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news.html。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）