| 廣立微重磅發(fā)布CMPEXP建模工具,豐富制造類EDA產(chǎn)品矩陣 |
| 2023/9/2 8:50:35 |
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 【產(chǎn)通社,9月2日訊】杭州廣立微電子股份有限公司(Semitronix Corporation;股票代碼:301095)官網(wǎng)消息,為填補(bǔ)國內(nèi)集成電路市場上產(chǎn)業(yè)化CMP建模工具的空白,滿足芯片設(shè)計公司和晶圓制造廠的需求,其正式推出CMP EXPLORER(簡稱“CMPEXP”)工具,保障芯片的可制造性和成品率,解決行業(yè)的痛點。化學(xué)機(jī)械拋光(即Chemical Mechanical Planarization CMP)是集成電路制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),結(jié)合了化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨來實現(xiàn)硅片表面的高度平坦化。 隨著集成電路制造工藝的演進(jìn)迭代,納米器件尺寸不斷縮小,再加上集成程度提高及工藝層級越來越多,芯片在制造各階段的表面平坦度嚴(yán)重影響產(chǎn)品成品率及性能,其影響通過多層疊加和版圖特征效應(yīng)更加突出,可謂“差之毫厘,謬以千里”。如何實現(xiàn)CMP步驟的仿真、建模和優(yōu)化,一直是保障芯片成品率的重要挑戰(zhàn)。 即便在芯片設(shè)計時嚴(yán)格遵守了設(shè)計規(guī)則,對于一些工藝較敏感的設(shè)計Pattern,仍有可能在CMP階段形成碟型凹陷(Dishing)、介質(zhì)腐蝕(Erosion)和金屬厚度波動等缺陷,從而造成互連線電阻、電容波動,甚至金屬互連短路和開路。這樣一來,后續(xù)制造步驟中的工藝窗口變窄,任何工藝上的小波動能造成成品率問題,因此,可制造性設(shè)計(Design for Manufacturing DFM)的角色更為重要,通過針對CMP步驟精準(zhǔn)仿真和建模,可以提前找出和預(yù)防CMP相關(guān)的芯片設(shè)計問題。 作為廣立微進(jìn)軍DFM領(lǐng)域的首款EDA工具,其可依據(jù)CMP工藝后的各測試結(jié)構(gòu)膜厚和表面形貌數(shù)據(jù)以及CMP工藝參數(shù),建立CMP模型。設(shè)計人員可在芯片流片前,使用軟件內(nèi)的CMP模型對版圖進(jìn)行CMP仿真并進(jìn)行可制造性分析,對識別出的CMP工藝熱點提前進(jìn)行修復(fù),從而實現(xiàn)在設(shè)計端成品率優(yōu)化,減少了設(shè)計端的成品率風(fēng)險,有效降低芯片研發(fā)成本。 目前,廣立微的CMPEXP工具已完成了第二階段的開發(fā),實現(xiàn)了業(yè)界廣泛使用的Cu CMP仿真與熱點檢查流程的所有功能,軟件的成熟度也已達(dá)到商用水平,其中工具特點包括:     考慮了接觸力學(xué)等物理和相關(guān)化學(xué)原理,同時結(jié)合快速傅里葉變換等數(shù)學(xué)手段,提供了高準(zhǔn)確性,魯棒性和泛化性的CMP模型。     采用了高效的分布式并行計算架構(gòu),有效地提升了模型校準(zhǔn)和仿真效率。     集成了先進(jìn)的模型校準(zhǔn)算法,大大地縮短了模型校準(zhǔn)時間周期并有效提升了校準(zhǔn)成功率。     采用數(shù)據(jù)表,散點圖,折線圖,柱狀圖,熱力圖,3D圖多種手段準(zhǔn)確直觀地展示模型校準(zhǔn),仿真與熱點檢測結(jié)果。       這次CMPEXP EDA工具的推出,進(jìn)一步完善了廣立微的制造類EDA的產(chǎn)品矩陣。查詢進(jìn)一步信息,請訪問官方網(wǎng)站 http://www.semitronix.com/news/company-info/1139.html。(Robin Zhang,鐠媒體) (完)
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