【產通社，12月4日訊】安世半導體（Nexperia）官網(wǎng)消息，其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200V分立器件，RDS(on)分別為40mΩ 和80mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發(fā)布的產品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應用對高性能SiC MOSFET的需求。

Nexperia高級總監(jiān)兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機希望通過這兩款首發(fā)產品為市場帶來真正的創(chuàng)新，這個市場一直渴望更多的寬禁帶器件供應商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件在多個參數(shù)上都具有一流的性能，例如超高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC器件性能的發(fā)展�！�

三菱電機半導體與器件部功率器件業(yè)務高級總經(jīng)理Toru Iwagami表示：“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富的專業(yè)知識，我們的器件實現(xiàn)了多方面特性的出色平衡�！�


產品特點


RDS(on)會影響傳導功率損耗，是SiC MOSFET的關鍵性能參數(shù)。Nexperia認為這是目前市場上許多SiC器件性能的限制因素。但是通過創(chuàng)新工藝技術，Nexperia首款SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界領先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。這與市場上其他許多目前可用的SiC器件不同。

Nexperia SiC MOSFET的總柵極電荷(QG)非常低，由此可實現(xiàn)更低的柵極驅動損耗。此外，Nexperia通過平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，這一特性又進一步提高了器件對寄生導通的抗擾度。 

除了正溫度系數(shù)外，Nexperia SiC MOSFET的VGS(th)閾值電壓器件間分布差異極低，這使得器件并聯(lián)工作時，在靜態(tài)和動態(tài)條件下都能實現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。


供貨與報價


Nexperia未來還計劃推出車規(guī)級MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現(xiàn)已投入大批量生產。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.nexperia.cn/sic-mosfets。（張怡，產通發(fā)布）    （完）