【產(chǎn)通社，7月6日訊】美光科技有限公司（Micron Technology）網(wǎng)站消息，已經(jīng)使用34納米工藝技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)新型NAND閃存產(chǎn)品。隨著消費(fèi)者需要更高的容量以便在越來(lái)越小的便攜式電子設(shè)備中存儲(chǔ)更多的音樂(lè)、視頻、照片及應(yīng)用程序，制造商需要一種存儲(chǔ)解決方案，以實(shí)現(xiàn)所需的容量、性能和尺寸。美光的新型16Gb和32Gb的NAND芯片兼具大容量與高性能，為滿足當(dāng)今苛刻的便攜式存儲(chǔ)需求提供了令人信服的解決方案，該解決方案專門為滿足最終用戶產(chǎn)品尺寸而量身定制。

新設(shè)計(jì)的32Gb多層單元（MLC）NAND閃存芯片比美光的第一代32Gb芯片小17%。其16Gb的MLC NAND芯片僅僅占用84mm²的面積，以超小型封裝提供高容量。美光現(xiàn)在提供使用34nm工藝的8Gb和16Gb的單層單元（SLC）NAND芯片。

此外，美光旗下的子公司和領(lǐng)先的用于數(shù)碼設(shè)備的消費(fèi)類存儲(chǔ)器產(chǎn)品供應(yīng)商Lexar Media公司，通過(guò)提供利用該技術(shù)的各種閃存卡和USB閃存盤，充分利用了美光的新型34納米NAND產(chǎn)品。

這兩種產(chǎn)品都具有ONFI 2.1同步接口，可提供高達(dá)每秒200MB/s的傳輸速度。相比之下，傳統(tǒng)的SLC NAND速度僅限40MB/s。有了這一改進(jìn)的傳輸速度，該接口可提供今天的NAND器件所能提供的最快讀寫(xiě)吞吐量。隨著固態(tài)硬盤（SSD）趨向于采用SATA 6Gb/s接口，該高速NAND接口使制造商能夠設(shè)計(jì)出可提供兩倍于現(xiàn)有的SATA 3Gb/s解決方案吞吐量的產(chǎn)品。顧客可以期望這種高速接口設(shè)計(jì)到今后所有的高密度Micron NAND產(chǎn)品中。

美光34納米NAND支持Lexar Media的新型高容量存儲(chǔ)卡。Lexar Media將美光的高容量34納米技術(shù)用于其高性能存儲(chǔ)卡中，其中包括新型Lexar Platinum II 32GB安全數(shù)字高容量(SDHC)存儲(chǔ)卡和Lexar 16GB microSDHC移動(dòng)存儲(chǔ)卡。到9月底，美光的新型34納米 NAND還將用于范圍廣泛的Lexar microSD和microSDHC卡、Memory Stick Micro (M2)卡、以及各種容量的Secure Digital、SDHC、CompactFlash和Memory Stick PRO Duo卡。另外，美光34納米NAND也將用于Lexar的JumpDrive USB閃存盤、其中包括JumpDrive Retrax、JumpDrive TwistTurn、JumpDrive FireFly和JumpDrive Secure II Plus。

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