【產(chǎn)通社，3月4日訊】上海積塔半導(dǎo)體有限公司（GTA Semiconductor Co., Ltd.）官網(wǎng)消息，其聯(lián)合國內(nèi)領(lǐng)先的新型鐵電存儲(chǔ)器供應(yīng)商無錫舜銘存儲(chǔ)科技有限公司合作開發(fā)，于2023年12月成功推出國內(nèi)首款110納米技術(shù)的新型鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品。與現(xiàn)有技術(shù)相比，新產(chǎn)品面積縮小約40%~60%，性能大幅度提升，將于2024年一季度正式量產(chǎn)。

該項(xiàng)技術(shù)由積塔半導(dǎo)體模擬與數(shù)�；旌涎邪l(fā)處（TD2）MCU研發(fā)團(tuán)隊(duì)，歷經(jīng)一年研發(fā)成功，完成了新型鐵電技術(shù)的三項(xiàng)重大突破，第一，新型鐵電技術(shù)首次在110nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；第二，新型鐵電存儲(chǔ)器的可靠性比現(xiàn)有技術(shù)提升了10倍；第三，實(shí)現(xiàn)了新型鐵電存儲(chǔ)技術(shù)從平面結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)單元到3D結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)單元的跨越。
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FeRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器Ferroelectric RAM），采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，同時(shí)具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是未來存儲(chǔ)器發(fā)展方向之一。

此次推出的鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)是基于鉿基氧化物的新型鐵電存儲(chǔ)技術(shù)。相比于傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)，該技術(shù)擁有高速讀寫，高耐久性，低功耗，抗電磁干擾和抗輻照等特點(diǎn)，性能優(yōu)越，可靠性高，非常適用于車載，電力，工控，和可穿戴等場景，并且在人工智能領(lǐng)域也有廣泛的應(yīng)用前景。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.gtasemi.com.cn/news。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）