【產(chǎn)通社，7月15日訊】恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）網(wǎng)站消息，其全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM參數(shù)。PSMN1R2-25YL是迄今為止采用Power-SO8封裝（無損耗封裝：LFPAK）中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴苛應(yīng)用條件下提供諸多性能及可靠性優(yōu)勢，如電源OR-ring、電機控制和高效同步降壓器等。 

產(chǎn)品特點
 

恩智浦資深國際市場產(chǎn)品經(jīng)理John David Hughes先生表示：“在MOSFET制造技術(shù)領(lǐng)域，改善性能是一場曠日持久的競賽。我們在新Trench 6工藝中采用創(chuàng)新技術(shù)，進一步減小了導(dǎo)通電阻。對客戶而言，這一新的Trench技術(shù)為他們帶來許多優(yōu)勢，例如提高的硅技術(shù)開關(guān)效率、出色的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK)封裝與廣為使用的Power SO-8 PCB封裝相兼容�！�

領(lǐng)先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2-25YL，采用Power-S08 (LFPAK)封裝時25V MOSFET的RDSon是0.9毫歐（典型值），30V MOSFET的RDSon達到1.0毫歐（典型值）。 

除了全球最低RDSon MOSFET之外，恩智浦還宣布推出面向電源、電機控制和工業(yè)市場的新產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品的工作電壓為25V、30V、40V和80V，采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封裝。

上市時間及報價
 

PSMN1R2-25YL現(xiàn)已上市。有關(guān)恩智浦新型Trench 6 MOSFET器件的數(shù)據(jù)手冊和更多信息，請訪問http://www.nxp.com/infocus/topics/lowest_rds_mosfet/index.html。