【產(chǎn)通社，6月6日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia）官網(wǎng)消息，其現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，有30、40、60和80mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80mΩ且封裝靈活的器件。 


產(chǎn)品特點(diǎn)


隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用D2PAK-7等SMD封裝的高性能SiC開關(guān)日益增長(zhǎng)的需求，這種開關(guān)在電動(dòng)汽車（EV）充電（充電樁）、不間斷電源（UPS）以及太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）逆變器等各種工業(yè)應(yīng)用中越來越受歡迎。這也進(jìn)一步證明了Nexperia與三菱電機(jī)公司（MELCO）之間成功的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，兩家公司聯(lián)手將SiC寬帶隙半導(dǎo)體的能效和電氣性能推向了新的高度，同時(shí)還提高了該技術(shù)的未來生產(chǎn)能力，以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。 

RDSon是SiC MOSFET的一個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)，因?yàn)樗鼤?huì)影響傳導(dǎo)功率損耗。然而，許多制造商只關(guān)注標(biāo)稱值，而忽略了一個(gè)事實(shí)，即隨著設(shè)備工作溫度的升高，RDSon相比室溫下的標(biāo)稱值可能會(huì)增加100%以上，從而造成相當(dāng)大的傳導(dǎo)損耗。Nexperia發(fā)現(xiàn)這也是造成目前市場(chǎng)上許多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了創(chuàng)新型工藝技術(shù)特性，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的RDSon溫度穩(wěn)定性，在25°C至175°C的工作溫度范圍內(nèi)，RDSon的標(biāo)稱值僅增加38%。 

嚴(yán)格的閾值電壓VGS（th）規(guī)格使這些MOSFET分立器件在并聯(lián)時(shí)能夠提供平衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓（VSD）有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時(shí)還能放寬對(duì)續(xù)流操作的死區(qū)時(shí)間要求。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.nexperia.cn/sic-mosfets。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）