【產(chǎn)通社，6月14日訊】聯(lián)華電子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代碼：UMC；TWSE股票代碼：2303）官網(wǎng)消息，其推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI制程技術(shù)的3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小45%以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。 

RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智慧手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中傳輸和接收資料的關(guān)鍵組件，透過(guò)垂直堆棧芯片來(lái)減少面積，以解決在裝置中為整合更多射頻前端模塊帶來(lái)的挑戰(zhàn)。該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。

聯(lián)電技術(shù)開(kāi)發(fā)處執(zhí)行處長(zhǎng)馬瑞吉（Raj Verma）表示，「我們很高興領(lǐng)先業(yè)界，以創(chuàng)新射頻前端模塊的3D IC技術(shù)為客戶打造最先進(jìn)的解決方案。這項(xiàng)突破性技術(shù)不僅解決了5G/6G智慧手機(jī)頻段需求增加所帶來(lái)的挑戰(zhàn)，更有助于在行動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)和虛擬實(shí)境的裝置中，透過(guò)同時(shí)容納更多頻段來(lái)實(shí)現(xiàn)更快的資料傳輸。未來(lái)我們將持續(xù)開(kāi)發(fā)如5G毫米波芯片堆棧技術(shù)的解決方案，以滿足客戶對(duì)射頻芯片的需求�！�

聯(lián)電擁有業(yè)界最完整的射頻前端模塊芯片解決方案，提供包括行動(dòng)裝置、Wi-Fi、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和衛(wèi)星通訊等廣泛應(yīng)用的需求。RFSOI解決方案系列從130到40奈米的制程技術(shù)，以8吋和12吋晶圓生產(chǎn)，目前已完成超500個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案，出貨量更高達(dá)380多億顆。除了RFSOI技術(shù)外，聯(lián)電的6吋晶圓廠聯(lián)穎光電還提供化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN），以及射頻濾波器（RF filters）技術(shù)，可充分滿足市場(chǎng)對(duì)射頻前端模塊應(yīng)用的各種需求。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.umc.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）