【產(chǎn)通社，8月28日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia）官網(wǎng)消息，其正在持續(xù)擴(kuò)充其NextPower 80V和100V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5×6mm和8×8mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100V MOSFET針對低RDS（on）和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機(jī)控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計(jì)人員可以從80V和100V器件中進(jìn)行選擇，RDS（on）選型從1.8mΩ到15mΩ不等。


產(chǎn)品特點(diǎn)


許多MOSFET制造商在將其器件的開關(guān)性能與其他產(chǎn)品進(jìn)行對比時(shí)，特別看重是否能通過低QG（tot）和低QGD實(shí)現(xiàn)高效率。然而，通過廣泛的研究，Nexperia發(fā)現(xiàn)Qrr同樣重要，因?yàn)樗鼤绊懠夥灞憩F(xiàn)，進(jìn)而影響器件開關(guān)期間產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）量。通過專注于研究該參數(shù)，Nexperia大大降低了其NextPower系列80/100V MOSFET產(chǎn)生的尖峰水平，同時(shí)也降低了它們產(chǎn)生的EMI量。如果最終用戶的應(yīng)用在后期未通過電磁兼容性（EMC）測試，而需要重新設(shè)計(jì)時(shí)，這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本，從而為最終用戶帶來顯著的益處。

與當(dāng)前可用的器件相比，這些新MOSFET的導(dǎo)通電阻（RDSon）降幅高達(dá)31%。Nexperia還計(jì)劃在今年晚些時(shí)候進(jìn)一步加強(qiáng)其NextPower 80/100V產(chǎn)品組合，再發(fā)布一款LFPAK88 MOSFET，在80V下提供低至1.2mΩ的RDS（on），同時(shí)在產(chǎn)品組合中引入功率密集型CCPAK1212。為了進(jìn)一步支持這些器件的設(shè)計(jì)導(dǎo)入和驗(yàn)證，Nexperia屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊，為工程師提供了全面且用戶友好的器件行為分析


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.nexperia.com/nextpower-80-100V-MOSFETs。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）