【產(chǎn)通社，10月30日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，在劉新宇研究員帶領(lǐng)下，高頻高壓中心GaN研究團隊在高頻高效率器件、限幅器、電源驅(qū)動電路等研究方向進(jìn)行了創(chuàng)新性研究和探索，取得了重要進(jìn)展。

在高頻高效率器件方向，團隊采用LP-SiN結(jié)合ALD超薄柵介質(zhì)技術(shù)制備的0.15μm柵長AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件，解決了現(xiàn)有HEMT器件肖特基漏電大、效率低的問題，在連續(xù)波測試條件中，30GHz的功率附加效率（PAE）為49.7%功率密度為5.90W/mm。

在限幅器方向，團隊采用全GaN SBD-MMIC技術(shù)的限幅器， 利用全GaN肖特基勢壘二極管來實現(xiàn)的單片微波集成電路（全GaN SBD-MMIC）技術(shù)，研制的限幅器顯示出高在連續(xù)波模式（CW）下，入射功率超過50W脈沖模式下為125W，插入損耗（IL）小于1dB@8GHz，具備39納秒的創(chuàng)紀(jì)錄的快速恢復(fù)時間，拓展了寬禁帶材料在GaN SBD的限幅器領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

在電源驅(qū)動電路方向，團隊開發(fā)了一款GaN基單片包絡(luò)跟蹤電源調(diào)制器，集成了傳統(tǒng)GaN開關(guān)功率放大器所需要的預(yù)防大級并采用了雙端反自舉電路，實現(xiàn)了對20MHz帶寬，6.5dB的射頻包絡(luò)信號的跟蹤；采用電源調(diào)制器對連續(xù)F類PA進(jìn)行供電實現(xiàn)包絡(luò)跟蹤功率放大器應(yīng)用，在2.7GHz載波頻率，20MHz信號帶寬，6.5dB峰均功率比及30.6dBm的輸出功率下，系統(tǒng)效率比單獨PA效率提升8%。

上述研究得到多個重要任務(wù)的支持，成果分別以Ka band GaN MIS-HEMT with ALD-SiN gate dielectric and Lp-SiN passivation layer、Record Fast Recovery Performance from Microwave High-Power Limiters with All-GaN SBD-MMIC Technology:39ns@100W和A Monolithic GaN Based Supply Modulator with Dual-Antibootstrap Level Shifter for Envelope Tracking Application為題入選2024年國際微波會議（IMS2024），并應(yīng)邀作口頭報告。

2024國際微波研討會（International Microwave Symposium 2024) 是由電氣與電子工程師學(xué)會（IEEE）微波理論和技術(shù)分會（MTT-S）主辦，已有70多年歷史，涵蓋了射頻、微波、毫米波等領(lǐng)域，從模塊設(shè)計到系統(tǒng)應(yīng)用的所有方向，是微波領(lǐng)域的頂級會議之一。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.ime.cas.cn/zhxx/zhxw/202409/t20240929_7389427.html。（Robin Zhang，產(chǎn)通數(shù)造）    （完）