【產通社，4月20日訊】華中科技大學（Huazhong University of Science & Technology, HUST）官網消息，集成電路學院曾雙雙教授團隊聯(lián)合加拿大阿爾伯塔大學Tian Tian教授、瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學院Chih-Jen Shih教授團隊，合作開發(fā)了一種適用于多種材料的納米圖案化新方法。該研究成果于4月11日發(fā)表在《自然-通訊》（Nature Communications），題為“利用分子束全息光刻技術實現(xiàn)復雜三維表面的直接納米圖案化與自對準超晶格結構的構建”（Direct nanopatterning of complex 3D surfaces and self-aligned superlattices via molecular-beam holographic lithography），并入選編輯推薦亮點論文（Editors' Highlights：https://www.nature.com/collections/wtpqpqpgwd）。集成電路學院為論文第一完成單位。

傳統(tǒng)光刻技術通常依賴光刻膠模板，并需通過刻蝕或剝離工藝完成圖案轉移，工藝流程復雜，且在多材料體系中常受材料兼容性限制。部分現(xiàn)有的直接圖案化方法雖簡化了流程，但在構建復雜結構或實現(xiàn)高精度對準方面仍存在挑戰(zhàn)。

本研究提出一種基于分子束莫爾干涉效應的全新圖案化策略，即 “分子束全息光刻技術”。該方法無需使用光刻膠，可對任意可蒸發(fā)材料（包括金屬、氧化物和有機半導體等）直接形成高分辨率納米圖案，并可適用于復雜三維表面和超晶格結構的構建。其核心原理是通過精確控制材料束流穿過納米掩膜時的投影角度，使其在襯底上形成類似于干涉光刻中相干激光束干涉的圖案，實現(xiàn)高精度自對準與納米結構控制。

通過控制沉積過程中的傾斜角度，從不同角度穿過掩膜結構的分子束可以形成一維沉積疊加。通過對沉積過程中傾斜角度和旋轉角度的協(xié)同調節(jié)，結合我們自主開發(fā)的計算光刻算法，可以形成二維沉積疊加獲得下述的復雜三維表面。

此外，利用分子束全息光刻的自對準特性，我們成功實現(xiàn)了多種材料圖案的自對準疊加，從而構建了從二元到五元的超晶格結構，關鍵尺寸和圖案疊加精度分別達到約50納米和2納米的量級。

該工藝有望大幅拓展材料組合的邊界，為在任意基底上實現(xiàn)具有平移對稱性的復雜超結構的高通量制備提供可能，進而推動新興納米成像、傳感、催化與光電子器件的發(fā)展。查詢進一步信息，請訪問官方網站http://news.hust.edu.cn/info/1003/52747.htm，以及https://doi.org/10.1038/s41467-025-58651-31。（Robin Zhang，產通數(shù)造）    （完）