【產(chǎn)通社，9月9日訊】東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官網(wǎng)消息，其推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C” 和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。


產(chǎn)品特點


三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，可將器件體積銳減80%以上，并提升設(shè)備功率密度。

此外，TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗[2]從而降低開關(guān)損耗。作為一款4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅(qū)動的信號源端子進行開爾文鏈接。這減少封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實現(xiàn)高速開關(guān)性能；在TW048U65C的外殼中，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[5]相比，其開通損耗降低約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設(shè)備功耗。


供貨與報價


三款器件于今日開始支持批量出貨。未來東芝將繼續(xù)擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news.html。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）