【產(chǎn)通社，10月13日訊】華中科技大學(xué)（Huazhong University of Science & Technology, HUST）官網(wǎng)消息，材料學(xué)院、材料成形與模具技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室翟天佑-李淵團(tuán)隊(duì)在新型憶阻器研究方面取得重大突破，成果發(fā)表在國際著名期刊《自然 納米技術(shù)》（Nature Nanotechnology）。論文題為“分子晶體憶阻器（Molecular Crystal Memristors）”。

憶阻器作為實(shí)現(xiàn)高效能存儲(chǔ)與類腦計(jì)算的重要硬件載體，一直面臨材料易劣化、器件穩(wěn)定性差、循環(huán)壽命短等挑戰(zhàn)。研發(fā)具備高可靠性、超高能效的新型憶阻材料與器件，成為突破“馮 諾依曼”架構(gòu)發(fā)展瓶頸、推動(dòng)計(jì)算技術(shù)革新的迫切需求。團(tuán)隊(duì)首創(chuàng)“分子晶體憶阻器”，提出一種全新材料范式，兼具性能與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，有望在非馮 諾依曼架構(gòu)的發(fā)展中發(fā)揮重要作用。

研究團(tuán)隊(duì)采用無機(jī)分子晶體作為器件阻變功能層材料，其獨(dú)特的Sb4O6分子籠結(jié)構(gòu)通過范德華力連接，形成高度一致的分子間隙。該結(jié)構(gòu)確保Ag+離子在晶體內(nèi)部均勻遷移，有效降低開關(guān)隨機(jī)性，提高器件一致性。器件典型切換能耗理論下限可達(dá)?26?zJ（當(dāng)前憶阻器最低值），同時(shí)展現(xiàn)出109次的卓越耐久性。

同時(shí)，器件具有可重構(gòu)的易失性與非易失性阻變行為，可適配從微米至納米尺度的應(yīng)用場景。研究團(tuán)隊(duì)已成功制備8英寸晶圓級(jí)規(guī)模的交叉陣列，充分體現(xiàn)其產(chǎn)業(yè)化潛力。將該憶阻器集成到單片CMOS芯片，實(shí)現(xiàn)“儲(chǔ)備池計(jì)算（Reservoir Computing）”功能。在動(dòng)態(tài)視覺識(shí)別任務(wù)中達(dá)到100%準(zhǔn)確率，首次展示了分子晶體憶阻器在類腦計(jì)算系統(tǒng)中的實(shí)際應(yīng)用潛力。

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