【產(chǎn)通社，10月30日訊】美光科技公司（Micron Technology, Inc.，紐約證券交易所：MU）網(wǎng)站消息，已經(jīng)利用獲獎的34奈米NAND制程生產(chǎn)出了多層單元企業(yè)級NAND設(shè)備，透過這種設(shè)備，企業(yè)能夠可靠地以高成本效益使其企業(yè)級閃存儲存容量擴大一倍（因為在相同的芯片尺寸上，多層單元的容量是單層單元的兩倍）�？蛻舻男枨笥纱说靡詽M足。美光的新款多層單元企業(yè)級NAND設(shè)備的寫入次數(shù)可達30,000次，其使用壽命比標(biāo)準(zhǔn)多層單元NAND延長了6倍。

對于更依賴儲存性能的企業(yè)級應(yīng)用，美光公司還推出了34奈米制程的單層單元企業(yè)級NAND設(shè)備，寫入次數(shù)可達300,000次，其使用壽命相比標(biāo)準(zhǔn)單層單元NAND延長了3倍。

此外，美光最新款企業(yè)級NAND產(chǎn)品充分發(fā)揮NAND的性能潛力，支持ONFI 2.1同步接口；與傳統(tǒng)的NAND接口相比，其數(shù)據(jù)傳輸速率提高了4到5倍。美光的34奈米企業(yè)級NAND產(chǎn)品組合包括：32Gb多層單元NAND芯片和16Gb單層單元NAND芯片，它們可配置為多芯片單封裝形式，儲存密度最高可分別達到32GB（多層單元）和16GB（單層單元）。

美光目前向客戶及控制器生產(chǎn)商提供企業(yè)級NAND試用產(chǎn)品，預(yù)計于2010年初開始量產(chǎn)。查詢進一步信息，請訪問http://www.micron.com/about/news/pressrelease.aspx?id=9D16C788EFA2B68E。