【產(chǎn)通社，11月12日訊】恒憶(Numonyx)網(wǎng)站消息，其與英特爾(Intel)在堆棧式交叉點相變存儲技術研發(fā)領域取得關鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層PCM陣列的64Mb測試芯片，對于隨機存取非易失性存儲器及存儲應用而言，這些發(fā)現(xiàn)有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲裝置。 

相變存儲(PCM)是一項結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術，上述發(fā)現(xiàn)是Numonyx與Intel長久以來共同進行的一項研究計劃的成果，該計劃的目的著重于研究多層式或堆棧式PCM單元陣列。雙方的研究人員如今已能夠演示垂直一體化的存儲單元——PCMS(相變存儲及開關)。PCMS包含一個PCM組件，此組件與全新使用的雙向閾值開關(OTS)堆棧于真正的交叉點陣列中。這一能夠堆棧PCMS陣列的能力可實現(xiàn)更高存儲容量的可擴展性，同時維持PCM的效能特性，而這對于傳統(tǒng)的內(nèi)存技術而言則是巨大的挑戰(zhàn)。

恒憶資深技術研究員Greg Atwood表示：“這些研究成果具有相當光明的前景，顯示了未來PCM產(chǎn)品可達到的更高容量、可擴展式陣列及類NAND使用模式等。由于傳統(tǒng)的閃存技術面臨某些實體限制和可靠性等問題，且存儲產(chǎn)品在從手機到數(shù)據(jù)中心等應用中都有著日益增長的需求，這些成果更顯得彌足珍貴。”

Intel研究員兼存儲技術開發(fā)總監(jiān)Al Fazio表示：“我們持續(xù)進行著內(nèi)存技術的開發(fā)，希望借此提升計算平臺的性能。我們對于這一里程碑式的研究成果感到相當振奮。PCMS等內(nèi)存技術在未來對于擴大存儲器在計算解決方案中的重要性、提升性能和可擴展性將有著相當重要的意義�！�

存儲單元是由堆棧存儲組件及選擇器所組成，并且具有多個組成存儲陣列的單元。Numonyx與Intel的研究人員已經(jīng)能夠部署薄膜雙終端OTS做為選擇器，以符合PCM擴展所需的實體及電特性要求。憑借薄膜PCMS的兼容性，如今已能夠建立多層的交叉點存儲陣列。一旦經(jīng)過整合及嵌入真正的交叉點陣列后，多層陣列便可結(jié)合CMOS電路的解碼、感知及邏輯功能。

更多關于存儲單元、交叉點陣列、實驗及成果的信息將刊登于題為《堆棧式交叉點相變存儲》的共同文件中，并將于2009年12月9日在美國馬里蘭州巴爾的摩舉行的2009年國際電子器件會議(Internatinal Electron Devices Meeting)上發(fā)表。此文件由Numonyx與Intel雙方的技術人員合著，屆時將由Intel資深首席工程師DerChang Kau發(fā)表。

查詢進一步信息，請訪問http://www.numonyx.com/China/About/PressRoom/Releases/Pages/NumonyxIntelPCM.aspx。