【產(chǎn)通社，12月5日訊】RF Micro Devices（Nasdaq股市代號：RFMD）網(wǎng)站消息，RFMD已收到來自一家一級無線基站原始設(shè)備制造商(OEM)的首張訂單，采購采用RFMD的氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)的產(chǎn)品。該訂單采購RFMD的RFG1M09180 180W型氮化鎵(GaN)寬帶功率晶體管(BPT)，以支持4G無線網(wǎng)絡(luò)的全球擴(kuò)展。

RFMD的RFG1M09180 BPT支持750-800MHz的LTE、865-895MHz的3GPP/IS95以及930-960MHz的多載波GSM，可改善多標(biāo)準(zhǔn)基站的成本效益和能源效率。RFG1M09180是RFG1M功率器件系列的一部分，能夠處理30W到360W之間的功率要求，與目前的LDMOS技術(shù)相比，它可提供更廣的帶寬和支持0.7GHz到3.8GHz的無線通信頻段。RFG1M功率器件系列的特點(diǎn)還在于其內(nèi)部匹配，并針對高效率技術(shù)（如Doherty和包絡(luò)跟蹤）進(jìn)行優(yōu)化。

與目前半導(dǎo)體技術(shù)相比，RFMD先進(jìn)的GaN工藝技術(shù)可提供每平方毫米更高的RF功率和RF轉(zhuǎn)換效率；RFMD相信其GaN技術(shù)將成為各個商業(yè)和國防應(yīng)用市場的突破性技術(shù)。在無線基站應(yīng)用中，RFMD的GaN HPA可提供業(yè)界領(lǐng)先的功率性能，同時大幅降低能源要求。該產(chǎn)品可提高網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的運(yùn)行效率和降低與網(wǎng)絡(luò)相關(guān)的能源成本，滿足客戶對“綠色”技術(shù)日益增加的要求。

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