【產(chǎn)通社，12月11日訊】恒憶（Numonyx, B.V.）網(wǎng)站消息，其以PCM專家、存儲器技術(shù)會議共同主席身份被邀參與2009國際電子元件會議（IEDM），并公布了關(guān)于相變存儲器(PCM)的最新成果，這是一個世界上報道半導(dǎo)體和其它電子設(shè)備的技術(shù)，設(shè)備，物理和模型的主要論壇。

“今年IEDM會議上PCM成為熱點正是PCM成為當今和未來增長利益和信譽的憑據(jù)，”恒憶技術(shù)研發(fā)副總裁說，“除了進一步加強PCM技術(shù)， 我們及我們的合作伙伴的研究成果顯示這種技術(shù)可以滿足大部分非易失性存儲器（NVM）設(shè)備的需求，從高密度存儲等級存儲器到針對單芯片整合的邏輯植入存儲器。總之，PCM是一個強大的多功能的NVM解決方案�！�

12月7號，恒憶研發(fā)人員Roberto Bez在一個存儲器技術(shù)會議上發(fā)表題為“氧族化合物PCM：未來十年的存儲器技術(shù)”的演講。他將描述PCM是唯一替代非易失性存儲器（NVM）的選擇，那代表了進入廣闊市場及成為未來十年主流存儲器技術(shù)的能力。因為融合了NVM及DRAM的元器件所具有的一些新特性，PCM對新的應(yīng)用極具吸引力，既是經(jīng)久的，又是創(chuàng)新性的技術(shù)。

之后，意法半導(dǎo)體研究者攜恒憶發(fā)表了題為“ 針對90nm及以上植入性非易失性存儲器應(yīng)用的相變存儲器技術(shù)”。首次，意法半導(dǎo)體和恒憶能夠完全將一個4Mb的PCM宏單元整合到90nm CMOS平臺。這為PCM應(yīng)用于嵌入性NVM設(shè)備如智能卡及工業(yè)微控制器鋪平了道路。

另一篇名為“一種45nm級相變存儲器技術(shù)”的文章表明PCM首次達到45nm的光刻尺寸。恒憶已經(jīng)在90nm生產(chǎn)了128Mb的PCM設(shè)備，而在這篇文章中，恒憶在1Gb產(chǎn)品上實現(xiàn)了45nm級PCM技術(shù)，有效單元尺寸達0.015um2。恒憶研究者報道了良好的電特性和可靠性結(jié)果，核實了PCM已經(jīng)成熟到成為高密度NVM應(yīng)用的主流技術(shù)。

另外，恒憶也聯(lián)合英特爾公司發(fā)表了一篇題為“可堆疊式交叉點相變存儲器”的文章。研究者首次展示了在一個64Mb的測試單芯片中，可以堆疊和放置多層PCM陣列。這些為創(chuàng)建更大容量，更低電耗的存儲器設(shè)備，最佳節(jié)省空間的隨機存取非易失性存儲器和存儲應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

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