【產(chǎn)通社，1月14日訊】德州儀器(TI)消息，已經(jīng)面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出了業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET功率MOSFET有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高50%，并改進(jìn)散熱管理。

TI高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理Steve Anderson指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的DC/DC電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET功率MOSFET能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求�！�

該系列包含的5款NexFET器件支持計算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的MOSFET可廣泛用于各種終端應(yīng)用，其中包括臺式個人計算機(jī)、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。

產(chǎn)品特點

2009年2月德州儀器(TI)收購總部位于美國賓夕法尼亞州伯利恒的CICLON半導(dǎo)體器件公司，獲得其極富創(chuàng)新的高效率電源管理解決方案。新增加的NexFET功率MOSFET解決方案進(jìn)一步壯大TI現(xiàn)有的電源管理產(chǎn)品系列，從而標(biāo)志著TI能夠為客戶提供可支持高效電源設(shè)計的完整解決方案。

DualCool NexFET功率MOSFET是TI收購該公司以來推出的第一款全新的功率MOSFET產(chǎn)品，其主要特性與優(yōu)勢包括：
- 作為單相35A同步降壓轉(zhuǎn)換器的 MOSFET， 采用一個MOSFET即可滿足高電流DC/DC應(yīng)用中的高、低側(cè)兩種開關(guān)需求；
- 增強(qiáng)型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10-15攝氏度/每瓦降至1.2攝氏度/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升80%；
- 高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過FET的電流提高50%，設(shè)計人員無需增加終端設(shè)備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動的處理器；
- 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)5 x 6毫米SON封裝可簡化設(shè)計、降低成本，與使用兩個標(biāo)準(zhǔn)5x6封裝相比，可節(jié)省30平方毫米的空間。

供貨于報價

DualCool NexFET器件現(xiàn)已開始批量供貨。此外，還提供樣片與應(yīng)用手冊。訂購NexFET評估板與樣片，請訪問http://www.ti.com.cn/mosfet-dcprcn。

了解NexFET技術(shù)優(yōu)化的DC-DC控制器，請訪問http://www.ti.com.cn/tps40303-prcn、http://www.ti.com.cn/tps40304-prcn，或者http://www.ti.com.cn/tps40305-prcn。