【產(chǎn)通社，3月3日訊】飛思卡爾半導(dǎo)體（Freescale Semiconductor）消息，其將針對(duì)下一代微控制器(MCU)平臺(tái)提供90nm薄膜存儲(chǔ)器(TFS)閃存技術(shù)。該先進(jìn)技術(shù)預(yù)定將在針對(duì)下列應(yīng)用的飛思卡爾MCU中部署，包括消費(fèi)電子、家用電器、醫(yī)療器械及智能計(jì)量系統(tǒng)等。 

“我們的目標(biāo)是為開(kāi)發(fā)人員提供旨在減少成本及上市時(shí)間的整體即插即用解決方案，同時(shí)幫助他們顯示其最終產(chǎn)品與眾不同。”飛思卡爾高級(jí)副總裁兼微控制器解決方案集團(tuán)總經(jīng)理Reza Kazerounian表示，“我們?nèi)涨靶嫉募夹g(shù)改進(jìn)將有助于解決上述問(wèn)題，并證明我們有能力始終保持嵌入式MCU的領(lǐng)先地位�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

飛思卡爾還同時(shí)推出TFS閃存的重要特性FlexMemory。FlexMemory提供簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)高效的片上增強(qiáng)型電可擦除編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的靈活性、性能及持久性等附加優(yōu)勢(shì)。用戶可將FlexMemory作為附加閃存存儲(chǔ)器進(jìn)行單獨(dú)部署，或者作為EEPROM和閃存存儲(chǔ)器的組合進(jìn)行部署。

隨著TFS技術(shù)的推出，飛思卡爾能夠?qū)崿F(xiàn)以下優(yōu)勢(shì)：
. 通過(guò)革命性的納米硅技術(shù)提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的比特級(jí)可靠性；
. 快速、低電壓的晶體管提供低功耗讀取功能，整個(gè)閃存操作時(shí)電壓可低達(dá)1.71伏，達(dá)到功率敏感型應(yīng)用日益提高的要求；
. 閃存接入時(shí)間不到0納秒；
. 域效率出眾，在各種閃存密度上實(shí)現(xiàn)高度的存儲(chǔ)和外設(shè)集成。

為了完善最近的技術(shù)投資，飛思卡爾計(jì)劃繼續(xù)把重心放在技術(shù)支持解決方案上，包括CodeWarrior Development Studio、MQX實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)、Tower System模塊化開(kāi)發(fā)平臺(tái)。飛思卡爾軟件和工具選項(xiàng)所具有的先進(jìn)性，以及其基于最新90納米閃存技術(shù)的下一代MCU，將為開(kāi)發(fā)人員提供將產(chǎn)品快速、高效地推向市場(chǎng)所需的技術(shù)和支持。

供貨與報(bào)價(jià)

飛思卡爾計(jì)劃于2010年第三季度供應(yīng)具有90nm TFS技術(shù)及FlexMemory特性的MCU產(chǎn)品樣本，并且計(jì)劃2011年初進(jìn)行批量生產(chǎn)。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.freescale.com.