【產(chǎn)通社，5月5日訊】飛思卡爾半導(dǎo)體公司（Freescale Semiconductor）消息，其兩款LDMOS射頻功率晶體管專為TD-SCDMA設(shè)計(jì)，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多級(jí)集成功率放大器集成電路，每個(gè)器件均可在兩個(gè)TD-SCDMA頻帶上交付10W的平均功率。

產(chǎn)品特點(diǎn)

MRF8P20160HSR3晶體管和MRF8P20100HSR3器件均采用飛思卡爾最新的高壓第八代（HV8）LDMOS技術(shù)，它提供的性能水平位居業(yè)界最高行列。兩個(gè)器件都提供對(duì)寬帶的固有支持，所以能夠在專為TD-SCDMA的運(yùn)行而分配的兩個(gè)頻帶（1880-1920MHz及2010-2025MHz）上提供它們的額定性能，這讓一個(gè)單獨(dú)的器件能夠?yàn)閮蓚�(gè)頻帶提供服務(wù)。

TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty架構(gòu)，該架構(gòu)包含兩個(gè)放大器，它們共同提供所有的運(yùn)行條件。這通常要求在載波以及功率放大器的末級(jí)功峰值路徑中配置單獨(dú)的RF功率晶體管。然而，飛思卡爾的LDMOS晶體管均采用“雙路徑”設(shè)計(jì)，其中，Doherty末級(jí)放大器的實(shí)施所要求的兩個(gè)放大器被集成在一個(gè)單獨(dú)的封裝內(nèi)。這將把所需設(shè)備的數(shù)量減少一半。這些優(yōu)勢(shì)，加上高增益、高效率及低功耗，能夠降低TD-SCDMA放大器的生產(chǎn)成本、減少所需的組件并降低放大器的復(fù)雜度。

MRF8P20160HSR3產(chǎn)品特性包括：
. 37W的平均射頻輸出功率（P3dB壓縮下的連續(xù)波(CW)功率為160W）
. 45.8%的能量轉(zhuǎn)換效率
. 16.5dB的增益
. 在輸入信號(hào)峰均比為9.9dB的狀態(tài)下測(cè)量，ACPR為-30.6dB（+/-5MHz偏移下的通道帶寬為3.84MHz）。

MRF8P20100HSR3產(chǎn)品特性包括：
. 20W的平均射頻輸出功率（P3dB壓縮下的連續(xù)波(CW)功率為126W）
. 44.3%的能量轉(zhuǎn)換效率
. 16dB的增益
. 在輸入信號(hào)峰均比為9.9dB的狀態(tài)下測(cè)量，相鄰信道功率比(ACPR)為-33.5dB（+/-5MHz偏移下的通道帶寬3.84MHz）。

兩款器件的工作電壓均為26-32V，能在32V直流電源下處理的電壓駐波比為10:1，它們?cè)谠O(shè)計(jì)上是為了與數(shù)字預(yù)失真誤差校正電路一起使用。它們?cè)趦?nèi)部構(gòu)造上互相匹配，采用氣腔陶瓷封裝，也可提供膠帶和卷軸式封裝。這些器件還包含保護(hù)措施，防止在裝配線上遇到靜電釋放影響。靜電釋放保護(hù)也使門電壓在-6V和+10V之間寬幅波動(dòng)，從而提高了高效模式（如C級(jí)模式）下運(yùn)行的性能。

供貨與報(bào)價(jià)

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