【產通社，9月2日訊】瑞薩電子株式會社（Renesas Electronics；TSE：6723）網站消息，其RJK0222DNS和RJK0223DNS功率半導體器件采用超小型封裝，主要面向服務器與筆記本電腦的CPU，以及存儲器等產品的DC/DC轉換器，并將于2010年8月起在日本發(fā)售樣品。

產品特點

RJK0222DNS和RJK0223DNS采用了第11代小型、低損耗功率MOSFET，并將組成DC/DC轉換器的一對功率MOSFET整合于同一封裝內。因此它們不僅可實現(xiàn)安裝面積比瑞薩電子早期的功率MOSFET產品小一半的3.2×4.8×0.8mm（最大值）超小型封裝尺寸，還可實現(xiàn)高達95.2%的業(yè)界最高效率，使功耗得到了大幅降低。新產品的主要特性如下：

(1) 安裝面積小于原有產品一半，從而實現(xiàn)了更小巧的高密度電源設計

在尺寸為3.2×4.8mm的超小型HWSON3046封裝內使用了一對功率MOSFET來實現(xiàn)電壓轉換。安裝面積與瑞薩電子早期尺寸為5.1×6.1mm的WPAK封裝相比，小了約一半。這樣就能夠設計出更小巧、安裝密度更高的DC/DC轉換器。
 
(2) 實現(xiàn)了業(yè)內最高的效率，大大降低了電源功耗

在300kHz的開關頻率下，瑞薩電子第11代低損耗功率MOSFET實現(xiàn)了目前業(yè)內最高水平95.2%的高效率（輸入電壓：12V，輸出電壓：3.3V），這使電源的總效率得到進一步提高。此外，在用于實現(xiàn)電壓轉換的一對功率MOSFET中，還在用于實現(xiàn)同步整流（低端）的功率MOSFET上整合了片上肖特基勢壘二極管。這使DC/DC轉換器在死區(qū)時間內，功率MOSFET到肖特基勢壘二極管的電流轉換時間得以縮短，從而降低了功率損耗。更值得一提的是，新產品還可有效抑制功率MOSFET接通時的電壓跳變，從而降低電磁噪聲。

和早期的WPAK封裝一樣，HWSON3046封裝具有出色的散熱性能，而器件下所配備的壓料墊，能夠將功率MOSFET工作時所產生的熱量傳導至印刷電路板，這使功率MOSFET能夠處理更大的電流。

供貨與報價

新產品樣品的單價均為50日元，并計劃于2010年12月起批量生產。預計到2011年7月以后，月產量將達到合計200萬個。查詢進一步信息，請訪問http://cn.renesas.com/press/news/news20100826b.html。