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飛思卡爾半導體新RF LDMOS晶體管面向多載波無線基站
2010/10/1 23:45:59     

【產(chǎn)通社,10月1日訊】飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)消息,其3款新型RF LDMOS功率晶體管MRF8S18260H/S、MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S,可以提供在無線基站收發(fā)器里使用Doherty多載波功率放大器(MCPA)要求的超高輸出電平。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理Gavin P. Woods表示, “我們設計飛思卡爾HV8組合來幫助設計人員提高運營效率,降低基站系統(tǒng)的整體能耗和運營成本。由于增加了先進的MCPA、MRF8S18260H/S、MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S產(chǎn)品,我們的LDMOS產(chǎn)品得到進一步擴展,從而為客戶帶來更多選擇,以滿足他們的設計需求,特別是滿足大量無線服務提供商的要求!


產(chǎn)品特點


新產(chǎn)品滿足了Doherty放大器體系結構的特殊要求,該體系結構將以AB級模式運行的載波放大器與以效率更高的C類模式運行的峰值放大器相組合到一起。它們的這些特性還能夠特別滿足數(shù)字預失真(DPD)電路的要求,從而保證了高階預制方案規(guī)定的高線性。

晶體管通過內部匹配提供簡化的總成,性能十分牢固,而且在32伏的直流電壓中生成10:1 VSWR的額定功率。它們被安裝到飛思卡爾NI1230陶瓷氣腔封裝包里,提供集成的靜電放電(ESD)保護,從而更好地防止在總成線上所遇到雜散電壓;當以C類模式操作時,-6至+10V這樣廣泛門限電壓范圍則能提高其性能。

MRF8P18265H/S是雙路徑器件,在單個封裝中需要同時集成載波和峰值放大器來實施Doherty末級別放大器。

新產(chǎn)品主要特性如下:
MRF8S18260H/S
. 1805至1880MHz
. P1dB 功率為260WCW
. 平均輸出功率達到74W時,AB類漏極效率為31.6%
. 增益為17.9dB

MRF8S19260H/S
. 1930至1,990MHz
. P1dB功率為245W CW
. 平均輸出功率達到74W時,AB類漏極效率為34.5%
. 增益為18.2dB

MRF8P18265H/S
. 1805至1880MHz
. 峰值(P3dB)功率為280W
. 平均輸出功率達到72W時,Doherty漏極效率為43.7%
. Doherty增益為16dB


供貨與報價


MRF8S18260H/S、MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S現(xiàn)已開始生產(chǎn)。參考設計和其他支持工具也已供貨。查詢進一步信息,請訪問http://www.freescale.com.

    (完)
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