【產(chǎn)通社，2月22日訊】RF Micro Devices（Nasdaq股市代號(hào)：RFMD）消息，Samsung已選擇RFMD的PowerSmart功率平臺(tái)及WiFi元件來(lái)支持其廣泛的新一代3G/4G設(shè)備系列。期望較高的Galaxy S 2和Galaxy Tab 10.1均將采用RFMD的PowerSmart，而Galaxy Tab 10.1還將采用RFMD的RF5521 WiFi前端模塊(FEM)。Samsung在巴塞羅那舉行的2011全球移動(dòng)大會(huì)（MWC 2011）上展示了Galaxy S 2與Galaxy Tab 10.1。

RFMD總裁兼CEO Bob Bruggeworth 指出：“RFMD很高興擴(kuò)展了在Samsung 3G/4G智能電話和平板電腦中的參與，對(duì)于利用我們PowerSmart功率平臺(tái)和市場(chǎng)領(lǐng)先的WiFi元件支持期望較高的Galaxy S 2及Galaxy Tab 10.1，我們感到尤其高興。我們相信，在技術(shù)轉(zhuǎn)變到多模、多頻帶智能電話中的整合前端方面，我們的PowerSmart功率平臺(tái)處于該趨勢(shì)的前沿，我們預(yù)計(jì)今年的PowerSmart發(fā)運(yùn)量將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大增長(zhǎng)�！�

應(yīng)用特點(diǎn)

PowerSmart功率平臺(tái)采用創(chuàng)新的RF Configurable Power Core，該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)所有蜂窩通信調(diào)制方案的多頻帶、多模覆蓋，包括2G、3G、4G，直到LTE 64QAM。除RF Configurable Power Core外，RFMD的PowerSmart功率平臺(tái)還包括小型參考設(shè)計(jì)中所有必要的轉(zhuǎn)換與信號(hào)調(diào)節(jié)功能，從而為智能電話制造商提供了面向整個(gè)蜂窩前端的單一可擴(kuò)展的資源。

RFMD的RF5521 WiFi FEM可滿足智能電話及平板電腦制造商對(duì)于極大縮小802.11b/g/n前端解決方案尺寸的要求，同時(shí)可提供高線性輸出功率以及極大減少核心連接芯片組外部的元件數(shù)。

供貨與報(bào)價(jià)

RFMD PowerSmart功率平臺(tái)及高性能WiFi元件的發(fā)運(yùn)量預(yù)計(jì)將在全年中持續(xù)增加。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.rfmd.com。