【產(chǎn)通社，3月2日訊】Vishay Intertechnology（NYSE: VSH）網(wǎng)站消息，其新型100V n溝道TrenchFET功率MOSFET采用SO-8和PowerPAK SO-8封裝，導(dǎo)通電阻率低至7.8mΩ。SiR870DP和Si4190DY采用ThunderFET技術(shù)，可提供最佳的導(dǎo)通電阻率和門電荷（gate charge）性能。

產(chǎn)品特點(diǎn)

SiR870DP的導(dǎo)通電阻在4.5V電壓時(shí)為7.8mΩ，是目前業(yè)界最低的；在10V電壓時(shí)的導(dǎo)通電阻也非常低，為6mΩ。SiR870DP的FOM為208mΩ-nC，適合節(jié)能型綠色應(yīng)用方案。

Si4190DY在10V電壓下的導(dǎo)通電阻為8.8mΩ，F(xiàn)O為340mΩ-nC；在4.5V電壓下導(dǎo)通電阻為12mΩ，F(xiàn)OM性能為220mΩ-nC。

SiR870DP和Si4190DY均100%通過了Rg和UIS測試，并符合IEC 61249-2-21和RoHS Directive 2002/95/EC規(guī)范要求。

供貨與報(bào)價(jià)

SiR870DP和Si4190DY目前已經(jīng)量產(chǎn)并開始供樣，大宗訂單交貨期為16星期。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問http://www.vishay.com。