【產(chǎn)通社，5月4日訊】飛思卡爾半導體（Freescale Semiconductor）消息，其兩個LDMOS RF功率晶體管允許無線基站放大器覆蓋整個分配頻帶中的所有通道。MRF8P20165WH/S和MRF8P20140WH/S有助于降低運營和資本支出，它們的寬瞬時帶寬允許網(wǎng)絡(luò)運營商改善網(wǎng)絡(luò)的靈活性。

飛思卡爾副總裁兼RF事業(yè)部總經(jīng)理Ritu Favre表示，“使用RF功率晶體管在整個無線頻帶上實現(xiàn)出色的線性特性和高效率不只是一種美好的愿望；它已經(jīng)成為了一種必須滿足的需求。我們?nèi)涨巴瞥龅钠骷菍拵F功率晶體管家族中第一個包含了所有當前的以及新出現(xiàn)的無線頻帶的產(chǎn)品。每個器件都致力于實現(xiàn)高效率、高線性、高輸出功率特性，從而幫助運營商滿足未來的挑戰(zhàn)�！�

產(chǎn)品特點

目前使用的大部分放大器系統(tǒng)的瞬時（視頻）帶寬通常在20-40MHz之間，需要對每個通道使用單獨的功率放大器。然而，日益增長的無線數(shù)據(jù)流量要求放大器系統(tǒng)進行擴展，從而覆蓋完整的無線頻段。全新RF功率LDMOS晶體管集高線性、高效率、寬瞬時帶寬和大功率特性于一體，可以將瞬時信號帶寬擴展到行業(yè)領(lǐng)先的160MHz，從而很好地滿足下一代放大器系統(tǒng)的需求。

MRF8P20165WH/S適用于1930-1995MHz PCS頻帶，而MRF8P20140WH/S適用于1880-2025MHz TD-SCDMA頻帶F&A，可通過一個放大器支持相應(yīng)的無線頻譜。這種能力可以顯著地減少多頻帶基站所需的功率放大器的數(shù)量，使網(wǎng)絡(luò)運營商對器件和設(shè)備進行整合，進而降低運營支出。

此外，新的LDMOS器件提供了更寬的瞬時帶寬，允許網(wǎng)絡(luò)運營商之間共享網(wǎng)絡(luò)設(shè)備并簡化了升級，從而進一步改善了網(wǎng)絡(luò)的靈活性。運營商無需升級設(shè)備即可添加/交換頻帶內(nèi)的頻譜資源。由于寬帶/多頻帶PA通常是獨立于調(diào)制格式的，因此運營商通過簡單的軟件改動即可升級到4G LTE和其他無線標準，不需要增加額外的硬件。這意味著網(wǎng)絡(luò)運營商可以同時節(jié)省資金支出和運營成本。運營商還可以動態(tài)地重新配置通道，并通過通道整合來支持越來越高的數(shù)據(jù)速率。

MRF8P20165WH/S和MRF8P20140WH/S滿足PCS和TD-SCDMA標準的線性需求，同時在放大介于65MHz (PCS)和140MHz (TD-SCDMA)之間的多個無線載波時可以實現(xiàn)至少43.7%的功率節(jié)省。這兩款器件均采用雙路徑設(shè)計，通過將其中一個路徑作為主放大器而另一個作為峰值放大器可實施Doherty放大器的最終階段。

新RF功率LDMOS器件的關(guān)鍵指標：
MRF8P20165WH/S（1930-1995MHz）
  . 平均功率為37W，輸入信號的峰均比（PAR）為9.9dB
  . 47.7%漏極效率
  . 16.3dB的典型功率增益
MRF8P20140WH/S（1880-2025MHz）
  . 平均功率為24W，輸入信號PAR為9.9dB
  . 43.7%漏極效率
  . 16dB的典型功率增益

這兩款器件都可以用于Doherty放大器配置和數(shù)字預失真。它們都非常的堅固耐用，能夠以30V電壓、兩倍的建議輸入功率處理10:1 VSWR阻抗失配。晶體管在內(nèi)部以低電容匹配，可以簡化電路設(shè)計，并提供集成的靜電放電（ESD）保護，增強了對裝配線中遇到的寄生電壓的抵抗力。此外，它們支持-6到+10V的大柵源電壓范圍，改善了Class C模式下的性能。這些晶體管采用飛思卡爾的NI-780-4和NI-780S-4氣腔封裝。

供貨與報價

MRF8P20165WH/S和MRF8P20140WH/S現(xiàn)已提供樣品，預計2011年5月將開始大規(guī)模生產(chǎn)。設(shè)計人員可以獲得參考設(shè)計和其他支持工具。查詢進一步信息，請訪問http://www.freescale.com.