【產(chǎn)通社，7月23日訊】RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq股市代號：RFMD）消息，其代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門已擴(kuò)展處理技術(shù)組合，提供兩項(xiàng)額外的砷化鎵（GaAs）處理技術(shù)——RFMD FD25低噪音pHEMT處理技術(shù)及RFMD FET1H切換pHEMT處理技術(shù)。代工客戶可隨時獲得這兩項(xiàng)額外的砷化鎵pHEMT處理技術(shù)。

RFMD多市場產(chǎn)品組總裁(MPG) Bob Van Buskirk說道：“我們推出的FD25 0.25µm和FET1H 0.6µm處理技術(shù)進(jìn)一步拓展了我們?yōu)闊o線行業(yè)提供技術(shù)先進(jìn)的半導(dǎo)體代工服務(wù)的目標(biāo)。我們很高興能夠超出我們當(dāng)前的氮化鎵和砷化鎵產(chǎn)品范圍來擴(kuò)展和發(fā)展代工服務(wù)業(yè)務(wù)，幫助客戶滿足他們特定的市場和產(chǎn)品需求�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

RFMD 0.25微米FD25 pHEMT處理技術(shù)可實(shí)現(xiàn)低噪音、中等功率和高線性，尤其適合低噪音前端和發(fā)射器MMIC等應(yīng)用。RFMD 0.6微米FET1H pHEMT處理技術(shù)可實(shí)現(xiàn)RF信號的低噪音和高線性切換，尤其適合無線前端、發(fā)射/接收模塊以及相控天線陣等應(yīng)用。

這兩項(xiàng)新處理技術(shù)可補(bǔ)充現(xiàn)有的RFMD 0.3微米FD30 pHEMT處理技術(shù)，該技術(shù)于2010年向代工客戶提供，現(xiàn)已優(yōu)化，可用于X頻段相控天線陣功率放大器及8-16千兆赫寬帶軍事戰(zhàn)爭電子干擾發(fā)射機(jī)等應(yīng)用。

在終端應(yīng)用要求更高整合度的驅(qū)動下，借助領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)，無線通信、航空和國防、以及雷達(dá)/雷達(dá)干擾發(fā)射機(jī)市場在世界范圍內(nèi)繼續(xù)保持迅猛增長。這增加了半導(dǎo)體代工對開發(fā)和提供靈活、高性能世界級技術(shù)的需求。

RFMD低噪音FD25和高線性切換FET1H技術(shù)以及現(xiàn)有的RFMD FD30 0.3µm電源處理技術(shù)，可為客戶提供設(shè)計(jì)和制造世界級器件的能力，以滿足廣泛的應(yīng)用需求。

供貨與報(bào)價

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