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安森美功率MOSFET系列:較低RDS(on)以降低功耗
2006/8/15 15:05:41     安森美半導(dǎo)體

全球領(lǐng)先的電源管理解決方案供應(yīng)商——安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)8月15日推出18款優(yōu)化直流/直流轉(zhuǎn)換并降低臨界電流水平功耗的新型功率MOSFET器件。這些功率MOSFET適用于計算應(yīng)用中的CPU/GPU供電,直流/直流轉(zhuǎn)換及高低端開關(guān),如臺式機、筆記本電腦和服務(wù)器中。
    這些新型的30V,35-191A的器件是單個N-溝道MOSFET提供較低RDS(on)以盡量降低功耗。器件的門極電荷和門極電荷比也小,降低導(dǎo)電和開關(guān)損耗,使電源效率更高。
    安森美半導(dǎo)體PowerFET部副總裁David Garafano說:“為了幫助我們的客戶滿足特定應(yīng)用的需要,安森美半導(dǎo)體一直在拓展PowerFET產(chǎn)品系列,以提供業(yè)內(nèi)品種最多的MOSFET。因為安森美半導(dǎo)體有多種生產(chǎn)這些新型MOSFET器件的制造資源,所以我們可以有效地處理突發(fā)的需求變化并進一步確保準時供貨。”
    其中,8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封裝,而每10,000片的批量預(yù)算單價在0.40至0.87美元之間。

 器件           VDS     ID Rdson@10V   Qg(典型)
NTD4804N 30V 117A 4mΩ     30nC
NTD4805N 30V 88A 5mΩ     20.5nC
NTD4806N 30V 76A 6mΩ     15nC
NTD4808N 30V 63A 8mΩ     11.3nC
NTD4809N 30V 58A 9mΩ     10.7nC
NTD4810N 30V 54A 10mΩ     9nC
NTD4813N 30V 40A 13mΩ     6.9nC
NTD4815N 30V 35A 15mΩ     6nC
    其他10款新型功率MOSFET器件采用SO-8平引腳封裝- 帶外露引腳框于背面使散熱更佳。這些器件的每10,000片的批量預(yù)算單價在0.71至0.91美元之間。

  器件          VDS     ID  Rdson@10V   Qg(典型)
NTMFS4833N   30V 191A 2mΩ     39nC
NTMFS4834N   30V 130A 3mΩ     33nC
NTMFS4835N   30V 104A 3.5mΩ       25nC
NTMFS4836N   30V 90A 4mΩ         19.1nC
NTMFS4837N   30V 74A 5mΩ     14.2nC
NTMFS4839N   30V 66A 6mΩ     12nC
NTMFS4841N   30V 57A 7mΩ     11.9nC
NTMFS4741N   30V 67A 8mΩ     15nC   
NTMFS4744N   30V 53A 10mΩ     10nC
NTMFS4747N   30V 44A 13mΩ     12nC

    更多關(guān)于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息,請訪問http://www.onsemi.com.cn或聯(lián)系Kathleen Van Tyne(電郵地址: k.vantyne@onsemi.com)。

    (完)
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