【產(chǎn)通社，11月22日訊】羅姆株式會社（ROHM Co., Ltd.）官網(wǎng)消息，其面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實現(xiàn)了壓鑄模類型、225ºC高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。

產(chǎn)品特點

這種模塊是600V/100A三相變頻，搭載了羅姆的6個SiC-SBD和6個SiC溝槽MOSFET，經(jīng)驗證工作溫度可高達225ºC。此外，該模塊使用范圍可達1200V級。因此，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比，其損耗大大降低，不僅可實現(xiàn)小型化，而且與以往的母模類型SiC模塊相比，還可大幅降低成本。主要規(guī)格如下：
尺寸：32×48×3mm(4.608cm³)
電路結(jié)構(gòu)：3相變頻(6 in 1)
額定電壓：600V
額定電流：100A
耐熱溫度(驅(qū)動) Tjmax：225ºC
封裝類型：壓鑄模
開關(guān)時間：導通76ns/關(guān)斷96ns

近年來，在迅速發(fā)展的EV/HEV車等所代表的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，要求提供更高功率化、更高效化、更高溫工作的元器件，因此，各公司在進行SiC器件開發(fā)的同時，都在開發(fā)可在高溫下高效工作的SiC模塊。羅姆于2010年10月世界首次實現(xiàn)將搭載了SiC溝槽MOSFET的模塊(600V/450A)和搭載了SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)二極管模塊(600V/450A)內(nèi)置于電機并成功驅(qū)動。關(guān)于模塊，由于傳統(tǒng)的壓鑄模類型無法耐受200ºC以上的高溫，因此長期使用的是耐熱特性達250ºC材料的母模類型。

此次，羅姆通過樹脂的物理特性與模塊結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計，做到了225ºC的耐熱性和小型化，在世界上最先實現(xiàn)了壓鑄模類型、在225ºC高溫下的高功率工作。羅姆將SiC器件本身的特點與此次的新封裝類型相結(jié)合，與具有相同功能的傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比，體積更小，僅為1/50，電氣特性方面也實現(xiàn)了全SiC(溝槽式MOS和SBD)化，因此，開關(guān)時間減少了一半，成功的大幅度的提高了速度。

供貨與報價

本產(chǎn)品預計于3-4年后達到實際應(yīng)用階段。在此基礎(chǔ)上，針對搭載了門極驅(qū)動器IC的IPM，羅姆還計劃使用本技術(shù)，開發(fā)搭載SiC的壓鑄模類型DIP型、可高溫條件下工作的、使用范圍達600V/50A的IPM。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.rohm.com.cn.