【產(chǎn)通社，12月15日訊】安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor；美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）官網(wǎng)消息，其新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列100V溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開(kāi)關(guān)電源、反向電池保護(hù)電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

安森美半導(dǎo)體功率分立分部高級(jí)總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說(shuō)：“我們的客戶(hù)力求其產(chǎn)品設(shè)計(jì)更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無(wú)法高性?xún)r(jià)比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶(hù)提升電源能效的嚴(yán)格規(guī)格�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流，因而導(dǎo)電損耗低及大幅提升的電路能效，幫助設(shè)計(jì)工程師符合高能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，不會(huì)增加復(fù)雜度，例如無(wú)須同步整流。

此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)，在正向偏置條件下提供更大的導(dǎo)電區(qū)，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結(jié)構(gòu)產(chǎn)生“夾斷”(pinch-off)效應(yīng)，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導(dǎo)體的溝槽型LVFR的開(kāi)關(guān)性能在-40°C至+150°C的整個(gè)工作結(jié)點(diǎn)溫度范圍內(nèi)都很優(yōu)異。

為了證明LVFR的優(yōu)勢(shì)，安森美半導(dǎo)體將其30A、100V LVFR (NTST30100SG)與標(biāo)準(zhǔn)的30A、100V平面型肖特基整流器進(jìn)行比較�；�65W電源適配器測(cè)試的數(shù)據(jù)顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設(shè)計(jì)人員能夠符合規(guī)范要求，同時(shí)不增加方案的復(fù)雜度及成本，例如無(wú)須同步整流。

供貨與報(bào)價(jià)

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