【產(chǎn)通社，4月3日訊】羅姆株式會社（ROHM）官網(wǎng)消息，其全SiC功率模塊(額定1200V/100A)已經(jīng)從3月份開始投入量產(chǎn)。

近年來，在工業(yè)設(shè)備和太陽能電池、電動汽車、鐵路等電力電子技術(shù)領(lǐng)域，與Si元件相比，電力轉(zhuǎn)換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應(yīng)用備受期待。根據(jù)估算，將傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體全部替換為SiC后的節(jié)能效果，僅在日本國內(nèi)就相當(dāng)于4座核電站的發(fā)電量，因此，各公司都已強(qiáng)化了相關(guān)研究開發(fā)。在這種背景下，羅姆于2010年在世界上率先成功實現(xiàn)了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產(chǎn)，在行業(yè)中遙遙領(lǐng)先。與此同時，關(guān)于全SiC模塊，即所內(nèi)置的功率元件全部將Si替換為SiC，多年來，雖然全世界的制造商多方試制，但在可靠性上存在諸多課題，一直無法實現(xiàn)量產(chǎn)。

產(chǎn)品特點

該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備和太陽能電池等中負(fù)責(zé)電力轉(zhuǎn)換的變頻器、轉(zhuǎn)換器上，與普通的Si(硅)材質(zhì)的IGBT模塊相比，具備以下優(yōu)勢，有效解決世界能源和資源等地球環(huán)境問題。主要特點包括：
. 開關(guān)損耗降低85%
. 與傳統(tǒng)的400A級別的Si-IGBT模塊相替換時，體積減小約50%
. 損耗低，因此發(fā)熱少，可減小冷卻裝置體積，從而可實現(xiàn)設(shè)備整體的小型化

內(nèi)置最先進(jìn)的SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種元件，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比，可以將電力轉(zhuǎn)換時的損耗降低85%。另外，與IGBT模塊相比，在10倍于其的頻率——100kHz以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。該產(chǎn)品的額定電流為100A，通過高速開關(guān)和低損耗化，可以與額定電流為200-400A的Si-IGBT模塊進(jìn)行替換。

不僅如此，通過設(shè)計和工藝的改善，羅姆還成功開發(fā)出散熱性卓越的模塊。替換傳統(tǒng)的400A級別的Si-IGBT模塊時，體積可減小約50%。由于損耗低，因此發(fā)熱少，可減小外置的冷卻裝置體積，從而非常有助于設(shè)備整體的小型化。

供貨與報價

本產(chǎn)品計從3月份下旬開始量產(chǎn)、出貨。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.rohm.com.cn。