【產(chǎn)通社，4月22日訊】瑞薩電子（Renesas Electronics；TSE：6723）官網(wǎng)消息，其新推出了八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品，理想用于包括智能手機(jī)和筆記本在內(nèi)的便攜式電子產(chǎn)品。具有業(yè)界領(lǐng)先的低功耗（低導(dǎo)通電阻），新器件包括20V (VDSS) µPA2600和30V µPA2601，配置了超緊湊型2×2mm封裝，從而具有提升的功率效率并實(shí)現(xiàn)了小型移動器件封裝尺寸的小型化。新款功率MOSFET產(chǎn)品為環(huán)保型產(chǎn)品，符合RoHS指令和無鹵要求。

隨著功能豐富的智能手機(jī)的普及和用戶對于這些器件無縫體驗(yàn)期望值的提升，現(xiàn)在對于更小型、更輕薄封裝尺寸的器件的需求不斷提高，而且要求這些器件具有更低的功耗，可以在兩次充電期間，實(shí)現(xiàn)更長的電池續(xù)航能力。為了滿足這些需求，設(shè)計(jì)者開始將目光投向具有更低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET，用于進(jìn)行充電/放電控制，RF功率放大器開/關(guān)控制以及過流切斷開關(guān)，同時也可支持大電流。

產(chǎn)品特點(diǎn)

新款µPA2600和µPA2601 MOSFET滿足了上述要求，在便攜設(shè)備中進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了小型化和業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，同時在廣泛的應(yīng)用中，降低了安裝區(qū)域，這些應(yīng)用包括在便攜式器件中的負(fù)載開關(guān)（它將應(yīng)用到的IC進(jìn)行開或關(guān)處理）和充電/放電控制，以及在RF功率放大器(用于高頻信號的放大器)的過流切斷開關(guān)。

多種具有不同電壓和極性的器件，如功率MOSFET，要求匹配便攜器件（包括耳機(jī)在內(nèi)）中的電源技術(shù)規(guī)格要求。P通道和N通道功率MOSFET的主要特性：

（1）業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻 (N通道，µPA2600和µPA2601)

µPA2600和µPA2601 MOSFET采用的是2×2mm超緊湊型封裝，20V (VDSS) µPA2600器件實(shí)現(xiàn)了9.3mΩ (在VGSS=4.5V的典型值)的導(dǎo)通電阻，30V µPA2601器件實(shí)現(xiàn)了10.5mΩ (在VGSS=10V下的典型值) 的導(dǎo)通電阻，從而達(dá)到了終端產(chǎn)品的節(jié)能目的。

（2）可以降低安裝區(qū)域的超小型封裝

瑞薩電子通過將大面積的高性能芯片置于超小型的封裝，并通過采用裸露的散熱型小封裝，實(shí)現(xiàn)了超緊湊型2×2mm封裝的應(yīng)用，有效降低了從封裝傳到安裝板的熱量。與現(xiàn)有的3×2mm封裝相比，µPA2600和類似產(chǎn)品可以減少大約30%的安裝面積，而與現(xiàn)有3×3mm封裝相比較，µPA2672和類似產(chǎn)品可以減少大約40%的安裝面積。這將有助于降低終端應(yīng)用產(chǎn)品的尺寸和重量。

（3）器件的擴(kuò)展陣列

8個在產(chǎn)品中，新的P通道和N通道功率MOSFET集中在12至30V，用于常見的便攜設(shè)備：4個P通道產(chǎn)品包括µPA2630，3個n通道產(chǎn)品包括µPA2600，還有µPA2690，此產(chǎn)品將N通道和P通道器件全部集成在一個單獨(dú)的封裝中。因此，這一系列可以支持多樣化的應(yīng)用，包括充電/放電控制，RF功率放大器開/關(guān)控制和過流切斷開關(guān)。

供貨與報價

瑞薩電子新型µPA2600和µPA2601功率MOSFET的樣品將于2012年4月推出，定價為每片0.4美元。量產(chǎn)計(jì)劃于2012年5月開始，到FY2013的上半年所有八個產(chǎn)品每月的總共產(chǎn)量將達(dá)到3,000,000件。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http:// www.renesas.com。