【產(chǎn)通社，5月3日訊】Diodes Incorporated消息，其DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為-25V的P通道器件，體積較同類器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5mm離板高度，較其他一般離板高度為0.6mm的MOSFET纖薄20%。

產(chǎn)品特點

DMP2039UFDE4針對負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，為電路設(shè)計人員提供3kV的電路保護，以免受人體本身的靜電放電所影響。這些最新推出的MOSFET擁有低典型RDS(on) 的特性，例如-12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，使電池充電應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗減至最少。

20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降壓及升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)，成為理想的負(fù)載開關(guān)或高速開關(guān)，并提供2kV的高靜電放電保護。DMN6040UFDE將會是首批采用DFN2020封裝的高電壓MOSFET之一，在60V的VDS下運行，并適合應(yīng)用于系統(tǒng)微型化設(shè)計行業(yè)(Small form-factor industrial)及供熱通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)(HVAC)控制。

新產(chǎn)品特別適合應(yīng)用于極纖巧的便攜式產(chǎn)品設(shè)計，例如智能手機、平板電腦及數(shù)碼相機。

供貨與報價

首批MOSFET系列九款產(chǎn)品包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V、20V及60V的 N通道MOSFET器件。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.diodes.com。（顧燕君，博達公關(guān)）