【產(chǎn)通社，5月3日訊】RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）消息，其擴(kuò)展了R氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新技術(shù)。

RFMD總裁兼首席執(zhí)行官Bob Bruggeworth表示：“全球?qū)νㄟ^(guò)提高能源轉(zhuǎn)換效率來(lái)節(jié)省能源的需求為基于 RFMD氮化鎵功率工藝技術(shù)的高性能功率器件創(chuàng)造了巨大的機(jī)會(huì)。我們期望我們推出的最新氮化鎵功率工藝技術(shù)將會(huì)擴(kuò)大我們?cè)诟唠妷汗β拾雽?dǎo)體市場(chǎng)中的機(jī)會(huì)，而且，我們很高興能夠?yàn)橥獠康拇た蛻籼峁﹔GaN-HV技術(shù)，支持他們?cè)诟咝阅芄β势骷袌?chǎng)上獲得成功�！�

RFMD推出的最新氮化鎵工藝技術(shù) – rGaN-HV -- 可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（1至50KW）中大幅度降低系統(tǒng)成本和能量消耗。RFMD推出的rGaN-HV技術(shù)可為器件實(shí)現(xiàn)高達(dá)900V的擊穿電壓，具有高峰值電流功能并可在氮化鎵電源開(kāi)關(guān)和二極管之間進(jìn)行超快速切換。這項(xiàng)新技術(shù)可補(bǔ)充RFMD的GaN1工藝技術(shù)，而GaN1工藝技術(shù)是專為高功率射頻應(yīng)用而優(yōu)化并提供超過(guò)400V的高擊穿電壓；RFMD的GaN2工藝技術(shù)專為高線性度應(yīng)用而設(shè)計(jì)并提供超過(guò)300V的高擊穿電壓。

RFMD將會(huì)在北卡羅來(lái)納州、格林斯伯勒的晶圓廠(fab)為客戶制造這些分立式功率部件，并為代工客戶提供rGaN-HV技術(shù)以使其能定制功率器件解決方案。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.rfmd.com/products/powerconversion。（Techwire International）