【產(chǎn)通社，6月5日訊】Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）官網(wǎng)消息，其下一代TrenchFET Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件采用新型高密度設(shè)計，PowerPAK SO-8和1212-8封裝，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至1.35mΩ，Miller電荷Qgd低至1.8nC。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN適用于高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器和OR-ing應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括開關(guān)電源、電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務(wù)器。

產(chǎn)品特點(diǎn)

TrenchFET IV在硅設(shè)計、晶圓加工和器件封裝上采用了多項技術(shù)改進(jìn)措施，為當(dāng)今的功率電子系統(tǒng)設(shè)計者提供了諸多好處。與前一代器件相比，SiRA00DP的導(dǎo)通電阻與面積乘積減小了60%，在10V電壓下實(shí)現(xiàn)了1.0mΩ的極低RDS(on)，4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。對于設(shè)計者而言，MOSFET的低導(dǎo)通電阻可以實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，減少功率損耗，達(dá)到更高的效率。

TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一種新型結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計，而沒有明顯增加?xùn)艠O電荷，克服了經(jīng)常在高晶格數(shù)量器件上出現(xiàn)的這個問題。新的MOSFET的總柵極電荷較低，使得SiRA04DP在4.5V下導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)降至56nC-Ω。

SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系統(tǒng)效率，降低溫度，采用6.15×5.15mm PowerPAK SO-8封裝，SiSA04DN的效率與之相近，3.30×3.30mm PowerPAK 1212-8封裝的面積只有前三款器件的1/3。新發(fā)布的所有器件的Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低。更低的比值可以降低柵極感應(yīng)電壓，有助于防止擊穿的發(fā)生。

TrenchFET Gen IV系列經(jīng)過了100%的Rg和UIS測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令。

供貨與報價

TrenchFET Gen IV MOSFET現(xiàn)可提供樣品，已經(jīng)從2012年1季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.vishay.com/mosfets/sales。