【產(chǎn)通社，6月22日訊】飛思卡爾半導(dǎo)體（Freescale Semiconductor；NYSE：FSL）消息，其25W的MRFE6VS25N和100W的MRFE6VP100H在整個(gè)頻率覆蓋范圍內(nèi)能提供完整的CW額定功率，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級(jí)別的線性和耐用性。新器件是用于類似應(yīng)用的GaN解決方案的極好替代產(chǎn)品，能夠處理VSWR大于65:1的阻抗不匹配情況，從而以極低的器件成本實(shí)現(xiàn)卓越的線性。寬帶LDMOS FET的設(shè)計(jì)目的是為了在極其惡劣的條件下也能無縫運(yùn)行，這時(shí)產(chǎn)品的耐用性和可用性至關(guān)重要。目標(biāo)應(yīng)用包括HF-UHF發(fā)射器和收發(fā)器、電視發(fā)射器、空白區(qū)域數(shù)據(jù)收發(fā)器、航空航天/國防系統(tǒng)、測試設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)。

飛思卡爾副總裁兼射頻事業(yè)部總經(jīng)理Ritu Favre表示：“憑借這些新產(chǎn)品，飛思卡爾射頻功率產(chǎn)品的足跡正從無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域踏入鄰近的高增長市場。這些新產(chǎn)品的卓越性能和耐用性將對(duì)廣大客戶和廣泛應(yīng)用極具吸引力。”

產(chǎn)品特點(diǎn)

新產(chǎn)品采用飛思卡爾低熱阻封裝，目的是最大限度降低內(nèi)部升溫，提高長期可靠性，同時(shí)減少熱管理問題。新產(chǎn)品還集成了能在眾多運(yùn)行環(huán)境中增強(qiáng)電路穩(wěn)定性的內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)，從而簡化了外部電路。為了保證最佳耐用性，飛思卡爾在遠(yuǎn)超出正常運(yùn)行條件下來測試，即在超出額定工作電壓20%，兩倍額定射頻輸入功率及阻抗不匹配值VSWR=65:1的條件下進(jìn)行評(píng)估。

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的寬帶頻率覆蓋范圍允許設(shè)計(jì)師使用單個(gè)放大器覆蓋多個(gè)頻段，例如1.8-54MHz、30-512MHz，從而減少了材料、縮小了放大器尺寸，減輕了重量，降低了切換損耗，并縮減了日常冷卻開支。新產(chǎn)品結(jié)合寬帶能力、耐用性和頻率范圍廣等優(yōu)勢，且成本低于同等的GaN器件。
 
MRFE6VS25N和MRFE6VP100H規(guī)格包括：
 . MRFE6VS25N：25W CW，頻段為1.8-30MHz時(shí)增益超過26dB，512MHz時(shí)增益超過25dB，效率為50%-73%，在VSWR> 65:1的環(huán)境中可完全達(dá)到額定性能。
 . MRFE6VP100H：100W CW，頻段為512MHz時(shí)增益超過26dB，30-512MHz時(shí)增益超過19dB，效率為40%-71%，在VSWR> 65:1的環(huán)境中可完全達(dá)到額定性能。

MRFE6VS25N晶體管采用飛思卡爾TO-270-2包覆成型塑料封裝，MRFE6VP100H/HS晶體管采用飛思卡爾NI-780-4和NI-780S-4空氣腔封裝。

供貨與報(bào)價(jià)

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H現(xiàn)已開始生產(chǎn)。參考設(shè)計(jì)和其它支持工具一并提供。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.freescale.com/RFpower。（劉之琳）