【產(chǎn)通社，7月17日訊】應(yīng)用材料公司（Applied Materials, Inc.）官網(wǎng)消息，其Applied Endura Amber物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng)打破了互連技術(shù)的限制，讓芯片上數(shù)十億顆晶體管的路徑互連技術(shù)更上一層樓。Amber系統(tǒng)采用革命性的銅再流動技術(shù)，是目前唯一經(jīng)過驗證、能夠達成10納米技術(shù)世代無孔隙銅結(jié)構(gòu)的單反應(yīng)室解決方案，克服制造先進邏輯與內(nèi)存裝置的重大挑戰(zhàn)。

應(yīng)用材料公司副總裁暨金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Sundar Ramamurthy表示：“Endura Amber物理氣相沉積系統(tǒng)的突破性解決方案，能微縮20nm以下世代的互連范圍、同時維持理想的生產(chǎn)良率。本公司運用尖端的PVD技術(shù)，以獨門系統(tǒng)克服上述的挑戰(zhàn)，無論是何種裝置節(jié)點，幾乎都能以快速、無孔隙的方式充填結(jié)構(gòu)。Amber系統(tǒng)目前已出貨超過30組反應(yīng)室，獲得業(yè)界客戶熱烈回響。本套系統(tǒng)已經(jīng)邏輯與內(nèi)存裝置制造商驗證，列為首選機臺�！�

產(chǎn)品特點

當(dāng)今高密度微芯片擁有復(fù)雜的多層次網(wǎng)絡(luò)，銅導(dǎo)線長達60英里以上，各層之間高達上百億個垂直導(dǎo)線互連。未來，隨著互連結(jié)構(gòu)變得更窄、更深，這些數(shù)字將會大幅增加，傳統(tǒng)技術(shù)要用銅材全面又確實地填充導(dǎo)孔，將會變得極度困難。在10納米技術(shù)世代，只要出現(xiàn)一個孔隙，芯片就不堪使用，這是一大問題。

應(yīng)用材料公司的Amber銅制程再流動技術(shù)能克服這項關(guān)鍵挑戰(zhàn)，利用這些微小的特征尺寸，將缺點變成優(yōu)點。利用毛細管作用，可將沉積的銅吸入最微小的導(dǎo)孔間，從底部往上充填，這樣一來，晶粒布局上的大小導(dǎo)孔都能以快速、無孔隙的方式充填。

Amber系統(tǒng)植基于高度成功的Endura CuBS RFX PVD系統(tǒng)的數(shù)項創(chuàng)新技術(shù)。CuBS RFX系統(tǒng)獨特的PVD技術(shù)，造就了精確的沉積分布─底部較厚，而且無銅突懸現(xiàn)象，這對后續(xù)再流動制程至為重要。

供貨與報價

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