【產(chǎn)通社，9月23日訊】科銳公司（Nasdaq: CREE）官網(wǎng)消息，其最新低基面位錯（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片（150mm 4H n-type SiC epitaxial wafers）的外延漂移層的總基面位錯密度小于1cm^-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1cm^-2。這一新型低基面位錯材料的推出進(jìn)一步體現(xiàn)了科銳長期以來對碳化硅材料技術(shù)的不斷投入和創(chuàng)新。

科銳功率器件與射頻（RF）首席技術(shù)官John Palmour表示：“碳化硅雙極型（Bipolar）器件的發(fā)展長期以來受制于基面位錯引起的正向電壓衰減。該款低基面位錯材料能夠用于諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和可關(guān)斷晶閘管（GTO）等高壓雙極型器件，并且增加這些器件的穩(wěn)定性。這一最新成果有助于消除遲滯高功率器件商業(yè)化的阻礙。”

產(chǎn)品特點(diǎn)

碳化硅是一種高性能的半導(dǎo)體材料，被廣泛地應(yīng)用在照明、功率器件和通訊器件產(chǎn)品的生產(chǎn)中，包括發(fā)光二級管（LED）、功率轉(zhuǎn)換器件以及無線通訊用射頻功率晶體管等。

供貨與報價

低基面位錯外延片現(xiàn)已可開始訂購。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.cree.com。