【產(chǎn)通社，11月1日訊】RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）消息，美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃署(DARPA)授予其一項(xiàng)價(jià)值210萬(wàn)美元的合同，以提高在高功率雷達(dá)和其他軍事系統(tǒng)中使用的氮化鎵(GaN)電路的熱效率。

應(yīng)用特點(diǎn)

授予本合同，是因?yàn)镈ARPA尋求在熱管理技術(shù)(TMT)項(xiàng)目中的近結(jié)點(diǎn)熱傳輸(NJTT)方面取得突破。 DARPA在NJTT方面的動(dòng)議旨在通過(guò)改善近結(jié)點(diǎn)區(qū)域的熱管理，使GaN功率放大器功率處理性能提高3倍甚至更多。RFMD通過(guò)將熱增強(qiáng)金剛石基板和自身行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅襯底氮化鎵高功率技術(shù)相結(jié)合，期望能顯著提高功率密度和功率處理能力。

RFMD在此計(jì)劃中的合作伙伴有喬治亞理工學(xué)院、斯坦福大學(xué)、Group4實(shí)驗(yàn)室公司、及波音公司。 喬治亞理工學(xué)院以其在熱測(cè)試、建模和微拉曼溫度記錄方面的領(lǐng)先地位聞名于世。斯坦福大學(xué)是晶體管片芯內(nèi)臨界界面層熱測(cè)量方面的全球領(lǐng)導(dǎo)者。Group4實(shí)驗(yàn)室公司是金剛石基板開(kāi)發(fā)方面的先驅(qū)。波音公司計(jì)劃最終評(píng)估技術(shù)成果，評(píng)定其對(duì)未來(lái)防御體系的預(yù)計(jì)影響。

供貨與報(bào)價(jià)

RFMD從2000年起一直是GaN技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)者，并已通過(guò)生產(chǎn)發(fā)布兩項(xiàng)高功率處理技術(shù)，客戶可通過(guò)其開(kāi)放式晶園鑄造業(yè)務(wù)模式獲取應(yīng)用該項(xiàng)技術(shù)。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.rfmd.com。