【產(chǎn)通社，11月13日訊】IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.；NASDAQ: IDTI)消息，其MB3518低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片，可在高達(dá)1866MT/s的傳輸速率下運(yùn)行。通過提升DDR3減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)的最高數(shù)據(jù)傳輸速率，MB3518使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量，可用于服務(wù)器、工作站和存儲應(yīng)用的先進(jìn)內(nèi)存子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。

IDT公司副總裁兼企業(yè)計算部總經(jīng)理Mario Montana表示：“作為內(nèi)存接口解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商，IDT正在提高LRDIMM的性能極限。通過專注于低功率和高性能，在提升速度的同時堅持開發(fā)高效節(jié)能的解決方案以降低數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行成本并減少碳排放，IDT的客戶們可以從中獲益。從系統(tǒng)來看，IDT豐富的接口和互聯(lián)產(chǎn)品組合為廣大客戶提供了有吸引力的價值選擇，幫助他們構(gòu)建市場上最先進(jìn)的企業(yè)服務(wù)器和存儲設(shè)備�！�

美光(NASDAQ: MU) DRAM市場部副總裁Robert Feurle表示：“美光致力于提供能夠在提升性能的同時降低功率的LRDIMM解決方案，來滿足我們的客戶在高性能計算(HPC)、數(shù)據(jù)中心和云計算方面的需求。我們很高興與IDT緊密合作，開發(fā)下一代LRDIMM產(chǎn)品�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

MB3518是一個低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片，能在1個通道內(nèi)與2個LRDIMM以高達(dá)1866MT/s的傳輸速率運(yùn)行。假設(shè)一個32GB容量的4通道(quad-rank) LRDIMM，相當(dāng)于在一個典型服務(wù)器中傳輸速率為1866MT/s的512GB容量，那么使用8通道64GB的LRDIMM容量能翻番達(dá)到超過1TB，預(yù)計將在2013年推出。這意味著相比于標(biāo)準(zhǔn)注冊的雙列直插內(nèi)存模塊(RDIMMs)，在最高速度等級的相對容量內(nèi)實(shí)現(xiàn)了四倍的提升，使計算系統(tǒng)能夠支持更多內(nèi)存并提升應(yīng)用性能。

內(nèi)存緩沖芯片可在1.5V或1.35V下運(yùn)行，在不犧牲性能的前提下提供業(yè)界最低的功耗。這直接使得終端用戶在功率和冷卻方面節(jié)約可觀的運(yùn)營費(fèi)用。

IDT的內(nèi)存緩存芯片擁有獨(dú)有的調(diào)試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進(jìn)全緩沖DIMM拓?fù)浼夹g(shù)的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于LRDIMM模塊上的內(nèi)存緩沖到DRAM接口尤其重要，因為它是完全獨(dú)立于主控制器和自動測試儀的。IDT內(nèi)存緩沖芯片符合聯(lián)合電子工程委員會 (JEDEC) 設(shè)立的最嚴(yán)格的規(guī)范。

供貨與報價

IDT MB3518和MB3516目前已向合格客戶提供樣品，有蓋和無蓋產(chǎn)品均采用588引腳FCBGA封裝。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.idt.com/go/DDR3。