【產(chǎn)通社，7月18日訊】英特爾公司（Intel Corporation；NASDAQ股票代碼：INTC）官網(wǎng)消息，其在舊金山SEMICON West大會(huì)分享了Co-EMIB、ODI和MDIO三種芯片封裝技術(shù)。

Co-EMIB

英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）2D封裝和Foveros 3D封裝技術(shù)利用高密度的互連技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高帶寬、低功耗，并實(shí)現(xiàn)相當(dāng)有競(jìng)爭(zhēng)力的I/O密度。而英特爾的全新Co-EMIB技術(shù)能將更高的計(jì)算性能和能力連接起來(lái)。Co-EMIB能夠讓兩個(gè)或多個(gè)Foveros元件互連，基本達(dá)到單晶片性能。設(shè)計(jì)師們還能夠以非常高的帶寬和非常低的功耗連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。

ODI

英特爾的全新全方位互連技術(shù)（ODI）為封裝中小芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。頂部芯片可以像EMIB技術(shù)下一樣與其他小芯片進(jìn)行水平通信，同時(shí)還可以像Foveros技術(shù)下一樣，通過(guò)硅通孔（TSV）與下面的底部裸片進(jìn)行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接從封裝基板向頂部裸片供電，這種大通孔比傳統(tǒng)的硅通孔大得多，其電阻更低，因而可提供更穩(wěn)定的電力傳輸，同時(shí)通過(guò)堆疊實(shí)現(xiàn)更高帶寬和更低時(shí)延。同時(shí)，這種方法減少了基底晶片中所需的硅通孔數(shù)量，為有源晶體管釋放了更多的面積，并優(yōu)化了裸片的尺寸。

MDIO

基于其高級(jí)接口總線（AIB）物理層互連技術(shù)，英特爾發(fā)布了一項(xiàng)名為MDIO的全新裸片間接口技術(shù)。MDIO技術(shù)支持對(duì)小芯片IP模塊庫(kù)的模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠提供更高能效，實(shí)現(xiàn)AIB技術(shù)兩倍以上的響應(yīng)速度和帶寬密度。

這些全新技術(shù)共同擴(kuò)充了英特爾強(qiáng)大的工具箱。它們將與英特爾的制程技術(shù)相結(jié)合，成為芯片架構(gòu)師的創(chuàng)意調(diào)色板，讓他們能夠自由設(shè)計(jì)出創(chuàng)新產(chǎn)品。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.intel.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）