完成時(shí)間：2007年7月
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報(bào)告頁(yè)數(shù)：74頁(yè)
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砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)的硅材料相比，它具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙，消耗功率低的特性，電子遷移率約為硅材料的5.7倍。因此，廣泛應(yīng)用于高頻及無(wú)線通訊中制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應(yīng)用于激光器、無(wú)線通信、光纖通信、移動(dòng)通信、GPS全球?qū)Ш降阮I(lǐng)域。砷化鎵除在I C產(chǎn)品應(yīng)用以外，也可加入其它元素改變能帶隙及其產(chǎn)生光電反應(yīng)，達(dá)到所對(duì)應(yīng)的光波波長(zhǎng)，制作成光電元件。還可與太陽(yáng)能結(jié)合制備砷化鎵太陽(yáng)能電池。

作為通信、微電子以及光電子的基礎(chǔ)材料GaAs材料，世界上其晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制作技術(shù)已較成熟，其應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。其中，砷化鎵在WiMAX和WLAN應(yīng)用市場(chǎng)上，將有明顯增幅，預(yù)計(jì)到2010年，市場(chǎng)需求近10億美元，增長(zhǎng)23%。在砷化鎵太陽(yáng)能電池上，也有部分要量產(chǎn)的企業(yè)。在砷化鎵微波元件需求上，可望再倍增，用于蜂窩回程通信的GaAs芯片市場(chǎng)2007年將達(dá)到峰期。未來砷化鎵發(fā)展勢(shì)必將與Si、GaN以及SiGe一同參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

本行業(yè)調(diào)研報(bào)告分為九個(gè)部分。從對(duì)GaAs產(chǎn)品的特點(diǎn)、品種、市場(chǎng)，以及世界及我國(guó)FCCL生產(chǎn)現(xiàn)狀、生產(chǎn)廠家、發(fā)展前景、市場(chǎng)現(xiàn)狀、下游生產(chǎn)企業(yè)現(xiàn)狀、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)、發(fā)展GaAs材料產(chǎn)業(yè)的建議等，都進(jìn)行了全面、詳細(xì)的綜述。

在本報(bào)告編寫的內(nèi)容、數(shù)據(jù)、資料等方面，都是在近期通過深入、廣泛的調(diào)研以及反復(fù)、大量的統(tǒng)計(jì)工作的基礎(chǔ)上而產(chǎn)生的。因此，它對(duì)于海內(nèi)外有意向建立、發(fā)展GaAs材料企業(yè)的投資者來說，對(duì)于有愿望對(duì)整個(gè)GaAs材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)要加深了解、認(rèn)識(shí)的經(jīng)營(yíng)者來說，對(duì)于GaAs材料下游產(chǎn)品從業(yè)者來說，都是一份有很高價(jià)值的參考文獻(xiàn)。

該報(bào)告的提綱內(nèi)容如下:

1. 砷化鎵產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2. 砷化鎵材料的特性
2．1 砷化鎵材料的主要特性
2．2 砷化鎵材料與硅材料的特性對(duì)比

3. 砷化鎵材料的分類
3．1 按照應(yīng)用領(lǐng)域不同分類
3．2 按照工藝方法不同的分類

4. 砷化鎵生產(chǎn)的工藝技術(shù)
4．1 砷化鎵晶體生長(zhǎng)
4．1．1 各種砷化鎵單晶制備工藝法概述
4．1．2 水平布里奇曼法（HB）
4．1．3 液封直拉法（LEC）
4．1．4 溫度梯度凝固法（VGF）
4．1．5 蒸氣壓控制直拉法（VCZ）
4．2 砷化鎵晶體加工
4．3 砷化鎵單晶制備主要工藝參數(shù)
4．4 砷化鎵單晶主要性能與質(zhì)量參數(shù)
4．4．1 主要技術(shù)質(zhì)量參數(shù)

5. 砷化鎵IC加工產(chǎn)廠家
5．1 砷化鎵外延片的工藝法
5．1．1 氣相外延
5．1．2 液相外延
5．2 對(duì)砷化鎵外延材料的性能要求
5．3 國(guó)內(nèi)外砷化鎵IC產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
5．3．1 日、美砷化鎵IC生產(chǎn)廠家
5．3．2 臺(tái)灣砷化鎵IC生產(chǎn)廠家
5．3．3 國(guó)內(nèi)砷化鎵IC生產(chǎn)廠家

6. 砷化鎵應(yīng)用領(lǐng)域及市場(chǎng)需求
6．1 砷化鎵應(yīng)用領(lǐng)域概述
6．2 砷化鎵在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用及市場(chǎng)現(xiàn)狀
6．2．1 無(wú)線通訊市場(chǎng)需求
6．2．2 光通訊市場(chǎng)需求
6．2．3無(wú)線局域網(wǎng)（WLAN）市場(chǎng)需求
6．2．4 汽車電子產(chǎn)品市場(chǎng)需求
6．2．5 軍事電子產(chǎn)品市場(chǎng)需求
6．3 砷化鎵在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用及市場(chǎng)現(xiàn)狀
6．3．1 砷化鎵在LED方面的需求市場(chǎng)
6．3．2 我國(guó)在LED方面砷化鎵的需求市場(chǎng)
6．3．3 我國(guó)LED的主要生產(chǎn)廠家情況
6．4 世界砷化鎵的市場(chǎng)發(fā)展

7. 國(guó)內(nèi)外砷化鎵材料技術(shù)的發(fā)展
7．1 國(guó)外砷化鎵材料技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展
7．2 國(guó)內(nèi)砷化鎵材料技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

8. 海外砷化鎵產(chǎn)業(yè)狀況及主要生產(chǎn)廠家
8．1 海外砷化鎵產(chǎn)業(yè)狀況總述
8．2 日本砷化鎵生產(chǎn)與市場(chǎng)現(xiàn)狀
8．3 美國(guó)砷化鎵生產(chǎn)與市場(chǎng)現(xiàn)狀
8．4 臺(tái)灣砷化鎵生產(chǎn)與市場(chǎng)現(xiàn)狀

9. 國(guó)內(nèi)砷化鎵產(chǎn)業(yè)狀況及主要生產(chǎn)廠家
9．1 國(guó)內(nèi)砷化鎵材料的產(chǎn)業(yè)狀況
9．2 國(guó)內(nèi)砷化鎵材料主要生產(chǎn)廠家的情況

10. 中國(guó)砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及戰(zhàn)略發(fā)展思路
10．1 發(fā)展砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的建議
10．2 砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的特性
10．3 發(fā)展砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思路

圖表目錄:
表1：砷化鎵晶體特性
表2：GaAs晶體的物理特性
表3：GaAs材料與Si材料的特性比較
表4：GaAs晶體生長(zhǎng)的各種方法的分類
表5：GaAs單晶各種生長(zhǎng)工藝方法優(yōu)缺點(diǎn)的比較
表6：砷化鎵單晶制備主要工藝參數(shù)
表7：國(guó)內(nèi)外技術(shù)水平對(duì)照
表8：砷化鎵的外延片特性
表9：GaAsIC技術(shù)與要求
表10：日、美砷化鎵IC生產(chǎn)廠家現(xiàn)狀
表11：臺(tái)灣砷化鎵IC生產(chǎn)廠家概況
表12：砷化鎵半導(dǎo)體的應(yīng)用情況
表13：砷化鎵在電子系統(tǒng)中的應(yīng)用
表14：由砷化鎵晶片制作的主要電子器件和光電子器件
表15：LED 產(chǎn)品分類
表16：可見光LED依發(fā)光顏色分類
表17：全球高亮度LED材料市場(chǎng)預(yù)測(cè)（2003-2008年）
表18：全球AlGaAs光電市場(chǎng)概況及預(yù)測(cè)（2003-2008年）
表19：2001-2009年間全球半導(dǎo)體化合物市場(chǎng)情況
表20：日本化合物半導(dǎo)體單晶的銷售統(tǒng)計(jì)
表21：2004年-2005年（1-10月）日本化合物半導(dǎo)體晶片的出口統(tǒng)計(jì)
表22：2004年-2005年（1-10月）進(jìn)口日本化合物半導(dǎo)體晶片的統(tǒng)計(jì)
表23：臺(tái)灣砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈條
表24：國(guó)內(nèi)砷化鎵單晶材料廠家的生產(chǎn)開發(fā)、生產(chǎn)情況
表25：我國(guó)砷化鎵材料發(fā)展戰(zhàn)略

圖1：主要化合物半導(dǎo)體應(yīng)用
圖2：砷化鎵單晶
圖3：HB法設(shè)各及爐溫分布示意圖
圖4：LEC法單晶生長(zhǎng)示意圖
圖5：VGF法裝置示意圖
圖6：砷化鎵單晶制備工藝流程圖
圖7：GaAs應(yīng)用領(lǐng)域
圖8：砷化鎵器件的應(yīng)用領(lǐng)域
圖9：GaAs市場(chǎng)鏈
圖10：GaAs器件應(yīng)用市場(chǎng)
圖11：WLAN IC市場(chǎng)
圖12：WLAN 802.11技術(shù)演進(jìn)
圖13：汽車?yán)走_(dá)系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模
圖14：LED發(fā)光亮度
圖15：全球高亮度LED市場(chǎng)
圖16：全球高亮度LED材料市場(chǎng)概況及預(yù)測(cè)（2003-2008年）
圖17：我國(guó)2006年間高亮度LED的應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
圖18：半導(dǎo)體化合物市場(chǎng)規(guī)模
圖19：III-V族化合物半導(dǎo)體材料占化合物半導(dǎo)體材料百分比
圖20：全球半導(dǎo)體化合物市場(chǎng)規(guī)模
圖21：全球半導(dǎo)體化合物IC市場(chǎng)規(guī)模
圖22：世界生產(chǎn)商6'' GaAs產(chǎn)能
圖23：2001年-2005年（上半年）日本化合物半導(dǎo)體單晶的銷售額統(tǒng)計(jì)
 
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