意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）MDmesh V技術(shù)達(dá)到了業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻，讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下。采用緊湊型功率封裝，使能效和功率都達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。這些產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

作為意法半導(dǎo)體在成功的多漏網(wǎng)格技術(shù)上的最新進(jìn)步，通過改進(jìn)晶體管的漏極結(jié)構(gòu)，降低漏-源電壓降，MDmesh V在單位面積導(dǎo)通電阻RDS(ON)上表現(xiàn)異常出色。此項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)可降低這款產(chǎn)品的通態(tài)損耗，同時(shí)還能使柵電荷量(Qg)保持很低，在高速開關(guān)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的能效，提供低‘RDS(ON) x Qg’的靈敏值（FOM）。

意法半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示，MDmesh V產(chǎn)品在RDS(ON)上的改進(jìn)將會(huì)大幅度降低PFC電路和電源的電能損耗，從而能夠?qū)崿F(xiàn)能耗更低、尺寸更小的新一代電子產(chǎn)品。這項(xiàng)新技術(shù)將幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師解決新出現(xiàn)的挑戰(zhàn)，例如，新節(jié)能設(shè)計(jì)法規(guī)的能效目標(biāo)，同時(shí)再生能源市場(chǎng)也是此項(xiàng)技術(shù)的受益者，因?yàn)樗梢怨?jié)省在電源控制模塊消耗的寶貴電能。

MDmesh V MOSFET的節(jié)能優(yōu)勢(shì)和高功率密度將會(huì)給終端用戶產(chǎn)品的節(jié)能帶來實(shí)質(zhì)性提升，例如：筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機(jī)、熒光燈鎮(zhèn)流器、電信設(shè)備、太陽能電池轉(zhuǎn)換器以及其它的需要高壓功率因數(shù)校正或開關(guān)功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用設(shè)備。

意法半導(dǎo)體的MDmesh V MOSFET的另一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)是，關(guān)斷波形更加平滑，柵極控制更加容易，并且由于EMI降低，濾波設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)單。

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