全耗盡（Fully Depleted）平面晶體管技術(shù)（FD-SOI）以極薄的頂層確保了晶體管的各種關(guān)鍵屬性。FD晶圓由氧化埋層（BOx）和BOx之上的極薄硅層組成，從而為在此層建成的晶體管提供獨(dú)特性能。

意法半導(dǎo)體公司研發(fā)科技部門(mén)副總經(jīng)理Joël Hartmann表示：“FD-SOI技術(shù)不僅能得到FinFET全耗盡晶體管帶給平面?zhèn)鹘y(tǒng)技術(shù)的全部好處，而且還能實(shí)現(xiàn)后者無(wú)法達(dá)到的先進(jìn)的負(fù)偏壓（back bias）技術(shù)�！�

這類(lèi)晶圓尤其適用于移動(dòng)和消費(fèi)級(jí)多媒體應(yīng)用，與傳統(tǒng)Bulk CMOS相比，在保持相同性能的前提下，F(xiàn)D晶圓可節(jié)省高達(dá)40%的功耗。同樣，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)優(yōu)化，以全耗盡晶圓為基礎(chǔ)的處理器峰值性能最高可增長(zhǎng)60%。憑借超低供電（低于-0.7V）維持優(yōu)異性能，因此許多超低功耗運(yùn)行的移動(dòng)設(shè)備才得以實(shí)現(xiàn)。

此外，全耗盡晶圓由標(biāo)準(zhǔn)晶圓廠工具處理制造，它不僅與諸多傳統(tǒng)低功耗Bulk CMOS共用許多工藝步驟，節(jié)省了10%的生產(chǎn)步驟， 以極具競(jìng)爭(zhēng)力的成本生產(chǎn)成品芯片。

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